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资料编号:745127
 
资料名称:2SK3192
 
文件大小: 93K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-channel power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3192
2
SJG00029BED
V
GS
I
D
R
ds(在)
I
D
Y
fs
I
D
safe 运作 范围 P
D
T
一个
I
D
V
DS
11010
2
10
3
10
1
1
10
10
2
10
3
非 repetitive 脉冲波
T
C
=
25
°
C
I
D
I
DP
t
=
100
µ
s
10 ms
1 ms
直流
100 ms
流-源 电压 v
DS
(
V
)
流 电流 i
D
(
一个
)
0 50 150100
0
120
100
80
60
40
20
(1) t
C
=
T
一个
(2) 没有 热温 下沉
P
D
=
3 w
(1)
(2)
电源 消耗 p
D
(
W
)
包围的 温度 t
一个
(
°
C
)
30
25
20
15
10
5
0
2468101214
0
T
C
=
25
°
C
V
GS
=
10 v
5 v
4 v
3 v
4.5 v
流-源 电压 v
DS
(
V
)
流 电流 i
D
(
一个
)
50
40
30
20
10
0
246810
0
V
DS
=
10 v
T
C
=
25
°
C
流 电流 i
D
(
一个
)
门-源 电压 v
GS
(
V
)
03010 20
V
GS
=
10 v
T
C
=
25
°
C
0
100
80
60
40
20
流-源 在 阻抗 r
ds(在)
(
m
)
流 电流 i
D
(
一个
)
30
25
20
15
10
5
0
5 101520253035
0
V
DS
=
10 v
T
C
=
25
°
C
向前 转移 admittance
Y
fs
(
S
)
流 电流 i
D
(
一个
)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
二极管 向前 电压 V
DSF
I
DR
=
30 一个, v
GS
=
0
1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
L
=
230
µ
h, v
DD
=
100 v 260 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
I
DR
=
15 一个, di/dt
=
100 一个/
µ
s 1.6
µ
C
门 承担 加载 Q
g
V
DD
=
100 v, i
D
=
15 一个 95 nC
门-源 承担 Q
gs
V
GS
=
10 v 34 nC
gd
12 nC
热的 阻抗 (ch-c) R
th(ch-c)
1.25
°
c/w
热的 阻抗 (ch-一个) R
th(ch-一个)
41.7
°
c/w
电的 特性 (持续)
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
便条) 测量 方法是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
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