电源 mosfets
1
发行 日期: january 2004 SJG00029BED
2SK3192
硅 n-频道 电源 场效应晶体管
■
特性
•
avalanche 活力 能力 有保证的
•
高-速 切换
•
低 在 阻抗 r
在
•
非 secondary 损坏
■
产品
•
PDP
•
切换 模式 调整器
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
单位: mm
参数 标识 比率 单位
流-源 surrender 电压 V
DSS
250 V
门-源 surrender 电压 V
GSS
±
30 V
流 电流 I
D
±
30 一个
顶峰 流 电流 I
DP
±
120 一个
avalanche 活力 能力
*
EAS 925 mJ
电源 消耗 P
D
100 W
T
一个
=
25
°
C3
频道 温度 T
ch
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 surrender 电压 V
DSS
I
D
=
1 毫安, v
GS
=
0 250 V
流-源 截止 电流 I
DSS
V
DS
=
200 v, v
GS
=
010
µ
一个
门-源 截止 电流 I
GSS
V
GS
=
±
30 v, v
DS
=
0
±
1
µ
一个
门 门槛 电压 V
th
V
DS
=
10 v, i
D
=
1 毫安 2 4 V
流-源 在 阻抗 R
ds(在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
15 一个 50 68 m
Ω
向前 转移 admittance
Y
fs
V
DS
=
10 v, i
D
=
15 一个 8 15 S
短的-电路 向前 转移 电容 C
iss
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz 4
200 pF
(一般 源)
短的-电路 输出 电容 C
oss
1
600 pF
(一般 源)
反转 转移 电容 C
rss
650 pF
(一般 源)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
=
100 v, i
D
=
15 一个, r
L
=
6.7
Ω
45 ns
上升 时间 t
r
V
GS
=
10 v 115 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
330 ns
下降 时间 t
f
130 ns
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
15.0
±
0.3
5.0
±
0.2
11.0
±
0.2
2.0
±
0.2
2.0
±
0.1
0.6
±
0.2
1.1
±
0.1
5.45
±
0.3
10.9
±
0.5
123
21.0
±
0.5
16.2
±
0.5
焊盘 插件
(2.3)
(3.2)
15.0
±
0.2
(0.7)
φ
3.2
±
0.1
(3.2)
1: 门
2: 流
3: 源
eiaj: sc-92
顶-3f-b1 包装
便条)
*
:l
=
1.74 mh, i
L
=
30 一个, v
DD
=
50 v, 1 脉冲波, t
一个
=
25
°
C
内部的 连接
G
S
D
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