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资料编号:746713
 
资料名称:ADN2850BCP25
 
文件大小: 481K
   
说明
 
介绍:
Nonvolatile Memory, Dual 1024 Position Programmable Resistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. b–2–
ADN2850–SPECIFICATIONS
电的 特性 25 k
, 250 k
版本
参数 标识 情况 最小值 典型值
2
最大值 单位
直流 特性 rheostat 模式 (规格 应用 至 所有 rdacs)
电阻 差别的 非线性
3
r-dnl R
WB
–2 +2 LSB
电阻 integral 非线性
3
r-inl R
WB
–4 +4 LSB
阻抗 温度 系数
R
WB
/
T
35 ppm/
°
C
wiper 阻抗 R
W
V
DD
= 5 v, i
W
= 100
µ
一个,
代号 = half-规模 50 100
V
DD
= 3 v, i
W
= 100
µ
一个,
代号 = half-规模 200
频道 阻抗 相一致
R
WB
/r
WB
ch 1 和 2 r
WB
, dx = 3ff
H
0.1 %
名义上的 电阻 容忍
R
WB
–30 +30 %
电阻 terminals
终端 电压 范围
4
V
w, b
V
SS
V
DD
V
电容
5
Bx C
B
f = 1 mhz, 量过的 至 地,
代号 = half-规模 11 pF
电容
5
Wx C
W
f = 1 mhz, 量过的 至 地,
代号 = half-规模 80 pF
一般模式 泄漏 电流
6
I
CM
V
W
= v
B
= v
DD
/2 0.01
±
2
µ
一个
数字的 输入 和 输出
输入 逻辑 高 V
IH
和 遵守 至 地, v
DD
= 5 v 2.4 V
输入 逻辑 低 V
IL
和 遵守 至 地, v
DD
= 5 v 0.8 V
输入 逻辑 高 V
IH
和 遵守 至 地, v
DD
= 3 v 2.1 V
输入 逻辑 低 V
IL
和 遵守 至 地, v
DD
= 3 v 0.6 V
输入 逻辑 高 V
IH
和 遵守 至 地,
V
DD
= +2.5 v, v
SS
= –2.5 v 2.0 V
输入 逻辑 低 V
IL
和 遵守 至 地,
V
DD
= +2.5 v, v
SS
= –2.5 v 0.5 V
输出 逻辑 高 (sdo, rdy) V
OH
R
拉-向上
= 2.2 k
至 5 v 4.9 V
输出 逻辑 低 V
OL
I
OL
= 1.6 毫安, v
逻辑
= 5 v 0.4 V
输入 电流 I
IL
V
= 0 v 或者 v
DD
±
2.25
µ
一个
输入 电容
5
C
IL
5pF
电源 供应
单独的-供应 电源 范围 V
DD
V
SS
= 0 v 3.0 5.5 V
双-供应 电源 范围 V
DD
/v
SS
±
2.25
±
2.75 V
积极的 供应 电流 I
DD
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 地,
T
一个
= 25
o
C24.5
µ
一个
积极的 供应 电流 I
DD
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 地 3.5 6.0
µ
一个
程序编制 模式 电流 I
dd(pg)
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 地 35 毫安
读 模式 电流
7
I
dd(xfr)
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 地 0.3 3 9 毫安
负的 供应 电流 I
SS
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 地,
V
DD
= +2.5 v, v
SS
= –2.5 v 3.5 6.0
µ
一个
电源 消耗
8
P
DISS
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 地 18 50
µ
W
电源 供应 敏锐的 P
SS
V
DD
= 5 v
±
10% 0.002 0.01 %/%
电流 监控 terminals
电流 下沉 在 v
1
9
I
1
0.0001 10 毫安
电流 下沉 在 v
2
I
2
10 毫安
动态 特性
5, 10
电阻 噪音 谱的 密度 e
n_wb
R
wb_fs
= 25 k
/250 k
, f = 1 khz 20/64 nv/
Hz
相似物 串扰 (c
W1
/c
W2
)c
T
V
B1
= v
B2
= 0 v, 量过的 v
W1
V
W2
= 100 mv p-p @ f = 100 khz,
代号
1
= 代号 2 = 200
H
–65 dB
(v
DD
= 3 v 至 5.5 v 和 –40
c < t
一个
< +85
c,
除非 否则 指出.)
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