LT1158
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图示 5. adding 零 电流 关闭
短的-电路 保护 在 桥 产品
这 lt1158 保护 这 顶 电源 场效应晶体管 从 输出
shorts 至 地面, 或者 在 一个 全部 桥 应用, shorts
横过 这 加载. 两个都 标准 3-含铅的 mosfets 和
电流-感觉到 5-含铅的 mosfets 能 是 保护. 这
bottom 场效应晶体管 是 不 保护 从 shorts 至 供应.
电流 是 sensed 用 测量 这 电压 横过 一个
电流 调往 在 这 源 含铅的 的 一个 标准 3-含铅的
场效应晶体管 (图示 6). 为 这 电流-感觉到 场效应晶体管
低 电流 关闭
这 lt1158 将 是 关闭 至 一个 电流 水平的 的 2ma 用
拉 这 使能 管脚 4 低. 在 这个 状态 两个都 这 顶 和
bottom mosfets 是 actively 使保持 止 相反 任何 tran-
sients 这个 might 出现 在 这 输出 在 关闭.
这个 是 重要的 在 产品 此类 作 3-阶段 直流
发动机 控制 当 一个 的 这 阶段 是 无能 当 这
其它 二 是 切换.
如果 零 备用物品 电流 是 必需的 和 这 加载 returns 至
地面, 然后 一个 转变 能 是 inserted 在 这 供应 path
的 这 lt1158 作 显示 在 图示 5. 电阻 r
GS
确保
那 这 顶 场效应晶体管 门 discharges, 当 这 电压
横过 这 bottom 场效应晶体管 变得 至 零. 这 电压 漏出
横过 这 p-频道 供应 转变 必须 是 较少 比
300mv, 和 r
GS
必须 是 330k 或者 更好 为 直流 运作.
这个 技巧 是 不 推荐 为 产品 这个
需要 这 lt1158 v
DS
感觉到 函数.
100k
V
+
V
+
LT1158
+
VP0300
R
GS
1158 f05
加载
地
+
至 other
CONTROL
电路
CMOS
开关
100k
V
+
t 门 dr
t 门 fb
t 源
b 门 dr
b 门 fb
2N2222
显示 在 图示 7, 这 sense 电阻 是 inserted 在
这 sense 和 kelvin leads.
这 sense
+
和 sense
–
pc 查出 必须 是 routed 一起
在 最小 间隔 至 阻止 偏离 pickup, 和 一个 kelvin
连接 必须 是 使用 在 这 电流 调往 为 这 3-
含铅的 场效应晶体管. 使用 一个 twisted 一双 是 这 safest approach
和 是 推荐 为 sense runs 的 一些 英寸.
当 这 电压 横过 r
SENSE
超过 110mv, 这
lt1158 故障 管脚 begins 至 conduct, signaling 一个 故障
情况. 这 电流 在 一个 短的 电路 ramps 非常 迅速,
限制 仅有的 用 这 序列 电感 和 ultimately 这
场效应晶体管 和 调往 阻抗. 预定的 至 这 回馈 时间
的 这 lt1158 电流 限制 循环, 一个 最初的 电流 尖刺 的
图示 7. 短的-电路 保护 和 电流-感觉到 场效应晶体管
t 门 dr
t 门 fb
t source
SENSE
+
SENSE
–
FAULT
LT1158
5V
+
V
+
1158 f07
10k
R
SENSE
KELVIN
SENSE
输出
图示 6. 短的-电路 保护 和 标准 场效应晶体管
t 门 dr
t 门 fb
t source
SENSE
+
SENSE
–
FAULT
LT1158
R
SENSE
5V
+
V
+
1158 f06
10k
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