LT1158
9
高 频率 振动––咨询 生产者’s rec-
ommendations. 如果 单独的 门 解耦 电阻器 是
使用, 这 门 反馈 管脚 能 是 连接 至 任何 一个
的 这 门.
驱动 多样的 mosfets 在 并行的 将 restrict 这
运行 频率 在 高 供应 电压 至 阻止
在-消耗 在 这 lt1158 (看
门 承担 和
驱动器 消耗
在下). 当 这 总的 门 capaci-
tance 超过 10,000pf 在 这 顶 一侧, 这 自举
电容 应当 是 增加 按比例地 在之上 0.1
µ
f.
门 承担 和 驱动器 消耗
一个 有用的 指示信号 的 这 加载 提交 至 这 驱动器 用 一个
电源 场效应晶体管 是 这 总的 门 承担 q
G
, 这个 包含
这 额外的 承担 必需的 用 这 门-至-流 摆动.
Q
G
是 通常地 指定 为 v
GS
= 10v 和 v
DS
= 0.8v
ds(最大值)
.
当 这 供应 电流 是 量过的 在 一个 切换
应用, 它 将 是 大 比 给 用 这 直流 电的
特性 因为 的 这 额外的 供应 电流
有关联的 和 sourcing 这 场效应晶体管 门 承担:
II
dQ
dt
dQ
dt
供应 直流
G
顶
G
BOTTOM
=+
+
这 真实的 增加 在 供应 电流 是 slightly 高等级的 预定的
至 lt1158 切换 losses 和 这 事实 那 这 门 是
正在 charged 至 更多 比 10v. 供应 电流 vs.
切换 频率 是 给 在 这 典型 效能
特性.
这 lt1158 接合面 温度 能 是 estimated 用
使用 这 equations 给 在 便条 1 的 这 电的
特性. 为 例子, 这 lt1158si 是 限制 至
较少 比 25ma 从 一个 24v 供应:
T
J
= 85
°
c + (25ma
×
24V
×
110
°
c/w)
= 151
°
c 超过 绝对 最大
在 顺序 至 阻止 这 最大 接合面 温度
从 正在 超过, 这 lt1158 供应 电流 必须 是
审查 和 这 真实的 mosfets 运行 在 这 maxi-
mum 切换 频率.
场效应晶体管 门 驱动 保护
为 供应 电压 的 在 8v, 这 lt1158 将 保护
标准 n-频道 mosfets 从 下面 或者 超（电）压
门 驱动 情况 为 任何 输入 职责 循环 包含 直流.
门-至-源 齐纳 clamps 是 不 必需的 和 不
推荐 自从 它们 能 减少 运行 效率.
一个 不连续 在 追踪 在 这 输出 脉冲波 宽度
和 输入 脉冲波 宽度 将 是 指出 作 这 顶 一侧
场效应晶体管 approaches 100% 职责 循环. 作 这 输入 低
信号 变为 narrower, 它 将 变为 shorter 比 这
时间 必需的 至 recharge 这 自举 电容 至 一个 safe
电压 为 这 顶 一侧 驱动器. 在下 这个 职责 循环 这
输出 脉冲波 宽度 将 停止 追踪 这 输入 直到 这
输入 低 信号 是 <100ns, 在 这个 要点 这 输出 将
jump 至 这 直流 情况 的 顶 场效应晶体管 “on” 和 bottom
场效应晶体管 “off.”
低 电压 运作
这 lt1158 能 运作 从 5v 供应 (4.5v 最小值.) 和
在 6v 电池-powered 产品 用 使用 逻辑-水平的
n-频道 电源 mosfets. 这些 mosfets 有 2v
最大 门槛 电压 和 有保证的 r
ds(在)
限制 在 v
GS
= 4v. 这 切换 速 的 这 lt1158,
不像 cmos 驱动器, 做 不 降级 在 低 供应
电压. 为 运作 向下 至 4.5v, 这 boost 管脚 应当
是 连接 作 显示 在 图示 2 至 maximize 门 驱动
至 这 顶 一侧 场效应晶体管. 供应 电压 在 10v 应当
不 是 使用 和 逻辑-水平的 mosfets 因为 的 它们的
更小的 最大 门-至-源 电压 比率.
0.1
µ
F
+
lt1158 f02
5V
D1
d1: 低-泄漏 schottky
bat85 或者 相等的
逻辑-level
场效应晶体管
n.c.
BOOST
t 门 dr
t 门 fb
t source
LT1158
boost dr
图示 2. 低 电压 运作
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
: 点此下载
