LT1158
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(谈及 至 函数的 图解)
13 变得 低 在 pwm 运作, 和 是 maintained 用 这
承担 打气 当 这 顶 场效应晶体管 是 在 直流. 一个 管制
boost 驱动器 在 管脚 1 雇用 一个 源-关联 15v
clamp 那 阻止 这 自举 电容 从 在-
charging regardless 的 v
+
或者 输出 过往旅客.
这 lt1158 提供 一个 电流-sense 比较器 和
故障 输出 电路 为 保护 的 这 顶 电源 场效应晶体管.
这 比较器 输入 管脚 11 和 12 是 正常情况下 con-
nected 横过 一个 调往 在 这 源 的 这 顶 电源
场效应晶体管 (或者 至 一个 电流-感觉到 场效应晶体管). 当 管脚 11
是 更多 比 1.2v 在下 v
+
和 v12 – v11 超过 这
110mv 补偿, 故障 管脚 5 begins 至 下沉 电流. 在 一个
短的 电路, 这 反馈 循环 regulates v12 – v11 至
150mv, 因此 限制的 这 顶 场效应晶体管 电流.
电源 场效应晶体管 选择
自从 这 lt1158 本质上 保护 这 顶 和 bottom
mosfets 从 同时发生的 传导, 那里 是 非
大小 或者 相一致 constraints. 因此 选择 能 是
制造 为基础 在 这 运行 电压 和 r
ds(在)
(所需的)东西. 这 场效应晶体管 bv
DSS
应当 是 在 least
2
×
V
供应
, 和 应当 是 增加 至 3
×
V
供应
在
harsh 环境 和 frequent 故障 情况. 为 这
lt1158 最大 运行 供应 的 30v, 这 场效应晶体管
BV
DSS
应当 是 从 60v 至 100v.
这 场效应晶体管 r
ds(在)
是 指定 在 t
J
= 25
°
c 和 是
一般地 选择 为基础 在 这 运行 效率 re-
quired 作 长 作 这 最大 场效应晶体管 接合面 tem-
perature 是 不 超过. 这 消耗 在 各自 场效应晶体管
是 给 用:
P=DI R
DS DS 在
()
+
()
(
)
2
1
∂
在哪里 d 是 这 职责 循环 和
∂
是 这 增加 在 r
ds(在)
在 这 预期 场效应晶体管 接合面 温度. 从
这个 等式 这 必需的 r
ds(在)
能 是 获得:
R
P
DI
DS 在
DS
(
)
=
()
+
()
2
1
∂
为 例子, 如果 这 场效应晶体管 丧失 是 至 是 限制 至 2w
当 运行 在 5a 和 一个 90% 职责 循环, 这 必需的
R
ds(在)
将 是 0.089
Ω
/(1 +
∂
). (1 +
∂
) 是 给 为 各自
场效应晶体管 在 这 表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs. tempera-
ture 曲线, 但是
∂
= 0.007/
°
c 能 是 使用 作 一个 approxima-
tion 为 低 电压 mosfets. 因此 如果 t
一个
= 85
°
c 和 这
有 热温 sinking 有 一个 热的 阻抗 的 20
°
c/w,
这 场效应晶体管 接合面 温度 将 是 125
°
c, 和
∂
= 0.007(125 – 25) = 0.7. 这个 意思 那 这 必需的
R
ds(在)
的 这 场效应晶体管 将 是 0.089
Ω
/1.7 = 0.0523
Ω
,
这个 能 是 satisfied 用 一个 irfz34.
便条 那 这些 calculations 是 为 这 持续的 oper-
ating 情况; 电源 mosfets 能 支持 far 高等级的
dissipations 在 过往旅客. 额外的 r
ds(在)
con-
straints 是 discussed 下面
开始 高 在-rush cur-
rent 负载
.
paralleling mosfets
图示 1. paralleling mosfets
LT1158
R
G
R
G
R
G
: optional 10
Ω
1158 f01
门 dr
门 fb
当 这 在之上 calculations 结果 在 一个 更小的 r
ds(在)
比
是 economically feasible 和 一个 单独的 场效应晶体管, 二 或者
更多 mosfets 能 是 paralleled. 这 mosfets 将
本质上 share 这 电流 符合 至 它们的 r
ds(在)
比率. 这 lt1158 顶 和 bottom 驱动器 能 各自 驱动
四 电源 mosfets 在 并行的 和 仅有的 一个 小 丧失 在
切换 speeds (看 典型 效能 characteris-
tics). 单独的 门 电阻器 将 是 必需的 至
“decouple” 各自 场效应晶体管 从 它的 neighbors 至 阻止
OPERATIO
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