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资料编号:7661
 
资料名称:HGTG20N60A4D
 
文件大小: 351.72K
   
说明
 
介绍:
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
Intersil 半导体 产品 出售 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 正确的 制造 改变 电路 设计 和/或者 规格 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, reader cautioned 核实 数据 薄板 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 Intersil 相信 精确
可依靠的. 不管怎样, 责任 assumed Intersil 或者 它的 附属机构 它的 使用; 也不 任何 infringements 专利权 或者 其它 权利 第三 这个 结果
从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 intersil 或者 它的 附属机构.
信息 关于 Intersil 公司 它的 产品, 站点
www.intersil.com
销售 office 总部
北 america
intersil 公司
p. o. 盒 883, 邮递 停止 53-204
melbourne, fl 32902
电话: (407) 724-7000
传真: (407) 724-7240
欧洲
intersil sa
mercure 中心
100, rue de la fusee
1130 brussels, belgium
电话: (32) 2.724.2111
传真: (32) 2.724.22.05
ASIA
intersil (台湾) 有限公司.
7f-6, 非. 101 fu hsing 北 road
taipei, 台湾
republic 的 中国
电话: (886) 2 2716 9310
传真: (886) 2 2715 3029
HGTG20N60A4D
至-247
3 含铅的 电子元件工业联合会 样式 至-247 塑料 包装
igbt 包装 表格
含铅的 1 -
含铅的 2 - 集电级
含铅的 3 - 发射级
期. 4 - 集电级
一个
b
b
1
c
D
E
L
L
1
ØR
1
2
e
1
3
1
J
1
ØS
Q
ØP
后面的 视图
期. 4
3
e
b
2
2
标识
英寸 毫米
NOTESMIN 最大值 最小值 最大值
一个 0.180 0.190 4.58 4.82 -
b 0.046 0.051 1.17 1.29 2, 3
b
1
0.060 0.070 1.53 1.77 1, 2
b
2
0.095 0.105 2.42 2.66 1, 2
c 0.020 0.026 0.51 0.66 1, 2, 3
D 0.800 0.820 20.32 20.82 -
E 0.605 0.625 15.37 15.87 -
e 0.219 典型值 5.56 典型值 4
e
1
0.438 bsc 11.12 bsc 4
J
1
0.090 0.105 2.29 2.66 5
L 0.620 0.640 15.75 16.25 -
L
1
0.145 0.155 3.69 3.93 1
ØP 0.138 0.144 3.51 3.65 -
Q 0.210 0.220 5.34 5.58 -
ØR 0.195 0.205 4.96 5.20 -
ØS 0.260 0.270 6.61 6.85 -
注释:
1. 含铅的 维度 和 finish uncontrolled 在 l
1
.
2. 含铅的 维度 (没有 焊盘).
3. 增加 典型地 0.002 英寸 (0.05mm) 为 焊盘 coating.
4. 位置 含铅的 量过的 0.250 英寸 (6.35mm) bottom
的 维度 d.
5. 位置 含铅的 量过的 0.100 英寸 (2.54mm) bottom
的 维度 d.
6. controlling 维度: inch.
7. 修订 1 dated 1-93.
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