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图示 17. 电容 vs 集电级 至 发射级
电压
图示 18. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
vs 门 至 发射级 电压
图示 19. 二极管 向前 电流 vs 向前
电压 漏出
图示 20. 恢复 时间 vs 向前 电流
图示 21. 恢复 时间 vs 比率 的 改变 的
电流
图示 22. 贮存 承担 vs 比率 的 改变 的
电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
c, 电容 (nf)
0 20 40 60 80 100
0
1
3
4
5
2
频率 = 1mhz
C
IES
C
OES
C
RES
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
89
1.7
10 12
1.8
2.0
1.9
11 13 14 15 16
2.1
2.2
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
= 30a
I
CE
= 20a
I
CE
= 10a
职责 循环 < 0.5%, t
J
= 25
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
0.5 1.0 1.5 2.5 3.0
I
EC
, 向前 电流 (一个)
V
EC
, 向前 电压 (v)
0 2.0
0
10
15
20
25
25
o
C
125
o
C
5
30
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%,
60
40
20
0
t
rr
, 恢复 时间 (ns)
I
EC
, 向前 电流 (一个)
0
80
50
30
10
4 8 16 20
dI
EC
/dt = 200a/
µ
s
125
o
c t
rr
25
o
c t
b
25
o
c t
一个
25
o
c t
rr
90
70
12
125
o
c t
一个
125
o
c t
b
300 400 500 700 800
t
rr
, 恢复 时间 (ns)
di
EC
/dt, 比率 的 改变 的 电流 (一个/
µ
s)
200 600
0
40
10
20
30
50
900 1000
I
EC
= 20a, v
CE
= 390v
125
o
c t
一个
125
o
c t
b
25
o
c t
一个
25
o
c t
b
600
400
200
0
qrr, 反转 恢复 承担 (nc)
di
EC
/dt, 比率 的 改变 的 电流 (一个/
µ
s)
1000500200 300 400 900
800
600 700 800
25
o
c, i
EC
= 10a
125
o
c, i
EC
= 20a
125
o
c, i
EC
= 10a
25
o
c, i
EC
= 20a
V
CE
= 390v
HGTG20N60A4D
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