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资料编号:7661
 
资料名称:HGTG20N60A4D
 
文件大小: 351.72K
   
说明
 
介绍:
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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5
图示 11. 转变-止 延迟 时间 vs 集电级
发射级 电流
图示 12. 下降 时间 vs 集电级 发射级
电流
图示 13. 转移 典型的 图示 14. 门 承担 波形
图示 15. 总的 切换 丧失 vs 情况
温度
图示 16. 总的 切换 丧失 vs 门 阻抗
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
80
60
70
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(止)i
, 转变-止 延迟 时间 (ns)
120
100
110
90
V
GE
= 12v, v
GE
= 15v, t
J
= 25
o
C
V
GE
= 12v, v
GE
= 15v, t
J
= 125
o
C
R
G
= 3
, l = 500
µ
h,
V
CE
= 390v
1510 20 25 30 35 405
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
fI
, 下降 时间 (ns)
16
32
24
48
64
40
56
R
G
= 3
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
72
80
1510 20 25 30 35 405
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
80
120
78910 12
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
11
160
200
240
6
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
CE
= 10v
T
J
= 125
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
40
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
Q
G
, 门 承担 (nc)
2
14
0
4
10
I
g(ref)
= 1ma, r
L
= 15
, t
J
= 25
o
C
V
CE
= 200v
6
8
12
16
V
CE
= 600v
20 40 60 80 120100 140 1600
I
g(ref)
= 1ma, r
L
= 15
, t
J
= 25
o
C
V
CE
= 400v
0
0.2
0.4
50 75 100
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
0.6
1.0
12525 150
1.8
0.8
E
总的
, 总的 切换 活力 丧失 (mj)
1.4
1.2
1.6
I
CE
= 30a
I
CE
= 20a
E
总的
= e
ON2
+ e
R
G
= 3
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v, v
GE
= 15v
I
CE
= 10a
0.1
10 100
R
G
, 门 阻抗 (
)
1
3 1000
E
总的
, 总的 切换 活力 丧失 (mj)
10
T
J
= 125
o
c, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v, v
GE
= 15v
E
总的
= e
ON2
+ e
I
CE
= 10a
I
CE
= 20a
I
CE
= 30a
HGTG20N60A4D
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