标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度 – 40 至 125
°
C
T
STG
存储 温度 范围 – 65 至 150
°
C
V
CC
供应 电压 – 0.3 至 6.5 V
V
IO
输入/输出 电压 – 0.3 至 V
CC
+0.6 V
V
I
输入 电压 – 0.3 至 6.5 V
V
静电释放
静电的 释放 电压 (人 身体 模型) 2000 V
便条:
除了 为 这 比率 ”Operating 温度 range”, 压力 在之上 those 列表 在 这 表格 ”Absolute 最大 Ratings” 将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上
那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 一个bsolute 最大 比率 情况 f或者 扩展
时期 将 影响 设备 可靠性.谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它 相关的 质量 documents.
表格 2. 绝对 最大 比率
模式 E G W DQ0 - DQ7
读 V
IL
V
IL
V
IH
数据 输出
写 V
IL
V
IH
V
IL
数据 在
备用物品 / 写 Inhibit V
IH
X X hi-z
写 Inhibit X X V
IH
数据 输出 或者 hi-z
写 Inhibit X V
IL
X 数据 输出 或者 hi-z
输出 使不能运转 X V
IH
X hi-z
便条:
X=V
IH
或者 V
IL
表格 3. 运行 模式
数据 在/输出 (dq0 - dq7).
数据 是 写至 或者 读
从 这 M28C64C 通过 这 i/o 管脚.
写 使能 (w).
这 写 使能 输入 控制
这 writing 的 数据 至 这 m28c64c.
准备好/busy (rb).
准备好/busy 是 一个 打开 流
输出 那 能 是 使用 至 发现 这 终止 的 这
内部的 写 循环.
运作
在 顺序 至 阻止 数据 corruption 和 inadvertent
写 行动 在 电源-向上, 一个 电源 在
重置 (por) 电路 resets 所有 内部的程序编制
cicuitry. 进入 至 这 记忆 在 写 模式 是
允许 之后 一个 电源-向上 作 指定 在 表格 6.
读
这 M28C64C 是 accessed 像 一个 静态的 内存.
当 E 和 G 是 低 和 W 高, 这 数据
addressed 是 提交 在 这 i/o 管脚. 这 i/o
管脚 是 高阻抗当 也 G 或者 E 是 高.
写
写 行动 是 initiated 当 两个都 W 和 E
是低 和 G 是 高.这M28C64C 支持两个都
E 和 W 控制 写 循环. 这 地址 是
latched 用 这 下落 边缘 的 E 或者 W 这个 总是
occurs last 和 这 数据 在 这 rising 边缘 的 E 或者
W 这个 总是 occurs 第一. Once initiated 这 写
运作 是 内部 安排时间 直到 completion.
页 写
页 写 准许 向上 至 32 字节 至 是 consecu-
tively latched 在 这 记忆 较早的 至 初始的 一个
程序编制 循环. 所有 字节 必须 是 located 在 一个
单独的 页 地址, 那 是 A5 - A12 必须 是 这
一样 为 所有 字节. 这 页 写 能 是 initiated
在 任何 字节 写 运作.
下列的 这 第一 字节 写 操作指南 这 host
将 send 另一 地址 和 数据 向上 至 一个 maxi-
mum 的 100
µ
s 之后 这 rising 边缘 的 E 或者 W 这个
总是 occurs 第一 (t
BLC
). 如果 一个 转变 的 E 或者 W 是
不 发现 在里面 100
µ
s, 这 内部的 程序-
ming 循环 将 开始.
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m28c64c, M28C64X
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