标识 Alt 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
t
AVWL
t
作
地址 有效的 至 写 使能 低 E = V
IL
,g=v
IH
0ns
t
AVEL
t
作
地址 有效的 至 碎片 使能 低 G = V
IH
,w=v
IL
0ns
t
ELWL
t
CES
碎片 使能 低 至 写 使能 低 G = V
IH
0ns
t
GHWL
t
OES
输出 使能 高 至 写 使能
低
E=V
IL
0ns
t
GHEL
t
OES
输出 使能 高 至 碎片 使能 低 W = V
IL
0ns
t
WLEL
t
WES
Write 使能 低 至 碎片 使能 低 G = V
IH
0ns
t
WLAX
t
AH
Write 使能 低 至 地址 转变 150 ns
t
ELAX
t
AH
碎片 使能 低 至 地址 转变 150 ns
t
WLDV
t
DV
Write 使能 低 至 输入 有效的 E = V
IL
,g=v
IH
1
µ
s
t
ELDV
t
DV
碎片 使能 低 至 输入 有效的 G = V
IH
,w=v
IL
1
µ
s
t
WLWH
t
WP
Write 使能 低 至 写 使能 高 150 ns
t
ELEH
t
WP
碎片 使能 低 至 碎片 使能 高 150 ns
t
WHEH
t
CEH
Write 使能 高 至 碎片 使能 高 0 ns
t
WHGL
t
OEH
Write 使能 高 至 输出 使能
低
10 ns
t
EHGL
t
OEH
碎片 使能 高 至 输出 使能 低 10 ns
t
EHWH
t
WEH
碎片 使能 高 至 写 使能 高 0 ns
t
WHDX
t
DH
Write 使能 高 至 输入 转变 0 ns
t
EHDX
t
DH
碎片 使能 高 至 输入 转变 0 ns
t
WHWL
t
WPH
Write 使能 高 至 写 使能 低 200 ns
t
WHWH
t
BLC
字节 加载 Repeat 循环 时间 0.35 50
µ
s
t
WHRH
t
WC
Write 循环 时间 5 ms
t
WHRL
t
DB
Write 使能 高 至 准备好/busy 低 便条 1 220 ns
t
EHRL
t
DB
碎片 使能 高 至 准备好/busy 低 便条 1 220 ns
t
DVWH
t
DS
数据 有效的 在之前 写 使能 高 50 ns
t
DVEH
t
DS
数据 有效的 在之前 碎片 使能 高 50 ns
便条
: 1. 和 一个 3.3 k
Ω
外部 拉-向上 电阻.
表格 9. 写 模式 交流 特性
(t
一个
= 0 至 70
°
C 或者 –40 至 85
°
c, V
CC
=
4.5v 至 5.5v)
7/15
m28c64c, M28C64X
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