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资料编号:83257
 
资料名称:TC55NEM216AFTN55
 
文件大小: 181.25K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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tc55nem216aftn55,70
2002-07-04 4/11
直流 特性
(ta
=
==
=
−−
40° 至 85°c, v
DD
=
==
=
5 v
±
±±
±
10%)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
IL
输入 泄漏
电流
V
=
0 v~v
DD
±
1.0
µ
一个
I
OH
输出 高 电流 V
OH
=
2.4 v
1.0
毫安
I
OL
输出 低 电流 V
OL
=
0.4 v 2.1
毫安
I
LO
输出 泄漏
电流
CE
=
V
IH
或者 LB
=
UB
=
V
IH
或者
r/w
=
V
IL
或者
OE
=
V
IH
, v
输出
=
0 v~v
DD
±
1.0
µ
一个
最小值
35
l
DDO1
CE
=
V
IL
r/w
=
V
IH
, LB
=
UB
=
V
IL
,
I
输出
=
0 毫安,
其它 输入
=
V
IH
/v
IL
t
循环
1
µ
s
8
毫安
最小值
30
l
DDO2
运行 电流
CE
=
0.2 v 和
r/w
=
V
DD
0.2 v, LB
=
UB
=
0.2 v,
I
输出
=
0 毫安,
其它 输入
=
V
DD
0.2 v/0.2 v
t
循环
1
µ
s
3
毫安
I
DDS1
1)
CE
=
V
IH
2)
LB
=
UB
=
V
IH
3 毫安
Ta
=
25°C
1
Ta
=
40~40°C
3
I
DDS2
备用物品 电流
1)
CE
=
V
DD
0.2 v
2)
LB
=
UB
=
V
DD
0.2 v,
CE
=
0.2 v
Ta
=
40~85°C
20
µ
一个
电容
(ta
=
==
=
25°c, f
=
==
=
1 mhz)
标识 参数 测试 情况 最大值 单位
C
输入 电容 V
=
10 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
=
10 pF
便条: 这个 参数 是 periodically 抽样 和 是 不 100% 测试.
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