flash 记忆
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进步
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
产品 介绍
这 k9f4g08u0m 是 一个 4,224mbit(4,429,185,024 位) 记忆 organized 作 262,144 rows(页) 用 2,112x8 columns. spare 64x8
columns 是 located 从 column 地址 的 2,048~2,111. 一个 2,112-用te 数据 寄存器 是 连接 至 记忆 cell arrays accommo-
dating 数据 转移 在 这 i/o 缓存区 和 记忆 在页 读 和 页 程序 行动. 这 记忆 排列 是 制造
向上 的 32 cells 那 是 serially 连接 至 表格 一个 与非 structure. 各自 的 这 32 cells resides 在 一个 不同的 页. 一个 块组成
的 二 与非 structured strings. 一个 与非 结构 组成 的 32 cells. 总的 1,081,344 与非 cells reside 在 一个 块. 这 program
和 读 行动 是 executed 在 一个 页 bas是, 当 这 擦掉 operati在 是 executed 在 一个 块 基准. 这 记忆 排列 con-
sists 的 4,096 separately 可擦掉的 128k-字节 blocks. 它 表明s 那 这 位 用 位 擦掉 运作 是 prohibited 在 这 k9f4g08u0m.
这 k9f4g08u0m 有 地址 多路复用 在 8 i/os. 这个scheme dramatically 减少 pin counts 和 准许 系统 升级
至 future densities 用 维持 consistency 在 系统 板 设计. command,地址 和 数据 是 所有 写 通过 i/o's用
bringing 我们
至 低 当 ce是 低. 那些 是 latched 在 这 rising 边缘 的 我们. command 获得 使能(cle) 和 地址 获得
使能(ale) 是 使用 至 multiplex command 和 地址 各自, 通过 这 i/o 管脚. 一些 commands 需要 一个 总线 循环. 为
例子, 重置 command, 状态 读 command, 等 需要 just一个 循环 总线. 一些 其它 commands, 像 页 读 和 块
擦掉 和 页 程序, 需要 二 循环: 一个 循环 为 建制 和这 其它 循环 为 执行.这 528m 字节 物理的 空间
需要 30 地址, 因此 需要 five cycles 为 寻址 : 2 循环 的 column地址, 3 循环 的 行 地址, 在 that
顺序. 页 读 和 页 程序 需要 这 一样 five 地址 cycles 下列的 这 必需的 comm和 输入. 在 块 擦掉 oper-
ation, 不管怎样, 仅有的 这 三 行 地址 循环 是 使用. 设备行动 是 选择 用 writing 明确的 commands 在 the
command 寄存器. 表格 1 定义 这 明确的 commands 的 这 k9f4g08u0m.
在 增加 至 这 增强 architecture 和 接口, 这 device 包含 copy-后面的 程序 特性 从 一个 页 至 another
页 没有 需要 为 transporting 这 数据 至 和 从 这 external 缓存区 记忆. 自从 这 时间-consuming 串行 进入 和
数据-输入 循环 是 移除, 系统 效能 为固体的-状态 disk 应用 是 significantly 增加.
表格 1. command sets
便条
: 1. 随机的 数据 输入/输出 能 是 executed 在 一个 页.
2. 读 edc 状态是 仅有的 有 在 copy 后面的 运作.
提醒
:
任何 未阐明的 command 输入 是 prohibited 除了 为 在之上 command 设置 的 表格 1.
函数 1st. 循环 2nd. 循环 可接受的 command 在 busy
读 00h 30h
读 为 copy 后面的 00h 35h
读 id 90h -
重置 FFh - O
页 程序 80h 10h
二-平面 页 程序 80h---11h 81h---10h
copy-后面的 程序 85h 10h
二-平面 copy-后面的 程序 85h---11h 81h---10h
块 擦掉 60h D0h
二-平面 块 擦掉 60h---60h D0h
随机的 数据 输入
(1)
85h -
随机的 数据 输出
(1)
05h E0h
读 状态 70h O
读 edc 状态
(2)
7Bh O
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