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资料编号:841447
 
资料名称:K9F4G08U0M
 
文件大小: 1076K
   
说明
 
介绍:
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
flash 记忆
9
进步
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
直流 和 运行 特性
(推荐 运行 conditions 否则 指出.)
便条
: 1. v
IL
能 undershoot 至 -0.4v 和 v
IH
能 越过 至 v
CC
+0.4v 为 durations 的 20 ns 或者 较少.
2. 典型 值 是 量过的 在 vcc=3.3v, t
一个
=25
°
c. 不 100% 测试.
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
运行
电流
页 读 和
串行 进入
I
CC
1
tRC=25ns
CE
=V
il,
I
输出
=0mA
-1530
毫安
程序 I
CC
2-
擦掉 I
CC
3-
保卫-用 电流(ttl) I
SB
1CE=V
IH
, wp=0v/v
CC
--1
保卫-用 电流(cmos) I
SB
2CE=V
CC
-0.2, wp=0v/v
CC
-1050
µ
一个
输入 泄漏 电流 I
LI
V
=0 至 vcc(最大值) - - ±10
输出 泄漏 电流 I
LO
V
输出
=0 至 vcc(最大值) - - ±10
输入 高 电压 V
IH*
- 0.8xvcc - vcc+0.3
V
输入 低 电压, 所有 输入 V
IL*
- -0.3 - 0.2xvcc
输出 高 电压 水平的 V
OH
k9f4g08u0m :i
OH
=-400
µ
a2.4 - -
输出 低 电压 水平的 V
OL
k9f4g08u0m :i
OL
=2.1ma - - 0.4
输出 低 电流(r/b
)i
OL
(r/b) k9f4g08u0m :v
OL
=0.4v 8 10 - 毫安
推荐 运行 情况
(电压 涉及 至 地, k9f4g08u0m-xcb0
:
T
一个
=0 至 70
°
c, k9f4g08u0m-xib0
:
T
一个
=-40 至 85
°
c)
参数 标识 最小值 Typ. 最大值
单位
供应 电压 V
CC
2.7 3.3 3.6 V
供应 电压 V
SS
000V
绝对 最大 比率
便条
:
1. 最小 直流 电压 是 -0.6v 在 输入/输出 管脚. 在 transitions, 这个 水平的 将 undershoot 至 -2.0v 为 时期 <30ns.
最大 直流 电压 在 输入/输出 管脚 是 v
CC
+0.3v 这个, 在 transitions, 将 越过 至 v
CC
+2.0v 为 时期 <20ns.
2. 永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率s 是 超过. 函数的 运作 应当 是 restricted 至 这情况
作 详细地 在 这 运算的 sections 的 这个 数据 sheet. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 periods 将 影响 可靠性.
参数 标识 比率 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss
V
在/输出
-0.6 至 +4.6
V
V
cc/
V
CCQ
-0.6 至 +4.6
温度 下面 偏差
k9f4g08u0m-xcb0
T
偏差
-10 至 +125
°
C
k9f4g08u0m-xib0 -40 至 +125
存储 温度
k9f4g08u0m-xcb0
T
STG
-65 至 +150
°
C
k9f4g08u0m-xib0
短的 电路 电流
I
OS
5mA
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