mitsubishi lsis
m5m51008bfp,vp,rv,kv,kr -70vl,-10vl,-12vl,-15vl,
-70vll,-10vll,-12vll,-15vll
1048576-位(131072-文字 用 8-位)cmos 静态的 内存
1997-1/21
MITSUBISHI
ELECTRIC
函数
块 图解
地址 输入
缓存区
地址 输入
缓存区
地址 输入
缓存区
sense 放大.
行
解码器
COLUMN
解码器
块
解码器
时钟
发生器
输出
缓存区
数据 输入
缓存区
131072 words
x 8 位
(1024 rows
x128 columns
x 8blocks)
8
7
6
5
4
3
2
31
28
27
16
15
14
13
12
11
10
7
4
3
12
10
9
23
20
18
17
31
11
25
26
19
1
2
21
22
23
25
26
27
28
29
13
14
15
17
18
19
20
21
5
30
6
32
8
29
22
30
24
32
16
24
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A0
A2
A3
A10
A1
A11
A9
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
W
S1
S2
OE
VCC
地
(0v)
* 管脚 号码 inside dotted 线条 显示 那些 的 tsop
**
这 运作 模式 的 这 m5m51008b 序列 是 决定 用
一个 结合体 的 这 设备 控制 输入 s1,s2,w 和 oe.
各自 模式 是 summarized 在 这 函数 表格.
一个 写 循环 是 executed whenever 这 低 水平的 w overlaps 和
这 低 水平的 s1和 这 高 水平的 s2. 这 地址 必须 是 设置 向上
在之前 这 写 循环 和 必须 是 稳固的 在 这 全部 循环.
这 数据 是 latched 在 一个 cell 在 这 trailing 边缘 的 w,s1或者
S2,whichever occurs 第一,需要 这 设置-向上 和 支撑 时间
相关的 至 这些 边缘 至 是 maintained. 这 输出 使能 输入
oe 直接地 控制 这 输出 平台. 设置 这 oe 在 一个 高
水平的, 这 输出 平台 是 在 一个 高-阻抗 状态, 和 这 数据
总线 contention 问题 在 这 写 循环 是 eliminated.
一个 读 循环 是 executed 用 设置 w 在 一个 高 水平的 和 oe 在 一个
低 水平的 当 s1和 s2是 在 一个 起作用的 状态(s1=l,s2=h).
当 设置 s1在 一个 高 水平的 或者 s2在 一个 低 水平的, 这 碎片 是
在 一个 非-可选择的 模式 在 这个 两个都 读 和 writing 是
无能. 在 这个 模式, 这 输出 平台 是 在 一个 高- 阻抗
状态, 准许 或者-系 和 其它 碎片 和 记忆 expansion 用
S1和 s2. 这 电源 供应 电流 是 减少 作 低 作 这
保卫-用 电流 这个 是 指定 作 iCC3或者 iCC4, 和 这
记忆 数据 能 是 使保持 在 +2v 电源 供应, enabling 电池
后面的-向上 运作 在 电源 失败 或者 电源-向下 运作 在
这 非-选择 模式.
S1 S2 W OE
模式 DQ ICC
L
L
H
H
H
H
L
H
非 选择
写
读
高-阻抗
Din
Dout
起作用的
保卫-用
非 选择 高-阻抗
高-阻抗
起作用的
起作用的
保卫-用
数据
输入/
输出
写
控制
输入
碎片
选择
输入
输出
使能
输入
地址
输入
函数 表格
2
L H L X
H X X X
X L X X
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