mitsubishi lsis
m5m51008bfp,vp,rv,kv,kr -70vl,-10vl,-12vl,-15vl,
-70vll,-10vll,-12vll,-15vll
1048576-位(131072-文字 用 8-位)cmos 静态的 内存
1997-1/21
MITSUBISHI
ELECTRIC
3
绝对 最大 比率
电容
标识
参数
测试 情况
pF
pF
单位
最大值
6
8
典型值
最小值
限制
VI=地, vI=25mvrms, f=1mhz
VO=地,vO=25mvrms, f=1mhz
输入 电容
输出 电容
CI
CO
参数
供应 电压
输入 电压
输出 电压
电源 消耗
运行 温度
存储 温度
单位
V
V
V
mW
°C
°C
情况
和 遵守 至 地
Ta=25°C
700
0~70
– 65~150
比率
标识
V
cc
VI
V
O
P
d
T
opr
Tstg
直流 电的 特性
(ta=0~70°c, 除非 否则 指出)
标识 参数
V
V
V
MaxTyp
限制
最小值
测试 情况
单位
V
µA
– 0.3*~4.6
– 0.3*~vcc + 0.3
(ta=0~70°c, 除非 否则 指出)
0~Vcc
* –3.0v 在 情况 的 交流 ( 脉冲波 宽度
≤
30ns )
便条 1: 方向 为 电流 流 在 一个 ic 是 积极的 (非 mark).
2: 典型 值 是 vcc = 3v, ta = 25°c
毫安
* –3.0v 在 情况 的 交流 ( 脉冲波 宽度
≤
30ns )
µA
µA
毫安
V
Vcc
+0.3v
0.6
2.0
–0.3
2.4
0.33
保卫-用 电流
0.4
±1
起作用的 供应 电流
(最小值 循环 )
起作用的 供应 电流
(1mhz)
55
11
Vcc
-0.5v
±1
30
15
103
VIH
VIL
VOH1
VOH2
VOL
II
IO
ICC1
ICC2
ICC3
ICC4
高-水平的 输入 电压
低-水平的 输入 电压
高-水平的 输出 电压 1
高-水平的 输出 电压 2
低-水平的 输出 电压
输入 电流
输出 电流 在 止-状态
保卫-用 电流
IOH=–0.5ma
IOH=–0.05ma
IOL=2mA
VI=0~Vcc
S1=VIH或者 s2=VIL或者 oe=vIH
Vi/o=0~VCC
S1=VIL,s2=VIH,
其它 输入=vIH或者 vIL
输出-打开(职责 100%)
1) s2
≤
0.2v
2) s1
≥
VCC–0.2v,
S2
≥
VCC–0.2v
其它 输入=0~vCC
S1=VIH或者 s2=VIL,
其它 输入=0~vCC
Vcc
+0.3v
0.6
2.0
–0.3
2.4
0.33
0.4
±1
3520
60
12
Vcc
-0.5v
±1
103
-l
-ll
MaxTypMin
VCC=3.3±0.3v VCC=3.0±0.3v
-12vl, -12vll
-15vl, -15vll
-70vl, -70vll
-10vl, -10vll
(最大值 4.6)
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