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资料编号:857095
 
资料名称:M5M51008BFP-70VL
 
文件大小: 61K
   
说明
 
介绍:
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
 
 


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mitsubishi lsis
m5m51008bfp,vp,rv,kv,kr -70vl,-10vl,-12vl,-15vl,
-70vll,-10vll,-12vll,-15vll
1048576-位(131072-文字 用 8-位)cmos 静态的 内存
1997-1/21
MITSUBISHI
ELECTRIC
4
(2) 读 循环
(3) 写 循环
标识 参数
tCR 读 循环 时间
地址 进入 时间
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
标识 参数
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MaxMinMaxMin
最小值 MaxMin 最大值
限制
t一个(s1)
t一个(s2)
t一个(oe)
tdis(s1)
tdis(s2)
tdis(oe)
ten(s1)
ten(s2)
ten(oe)
tv(一个)
t一个(一个)
限制
-12vl,vll
交流 电的 特性
(ta = 0~70°c, 除非 否则 指出 )
(1) 度量 情况
-15vl,vll
碎片 选择 1 进入 时间
碎片 选择 2 进入 时间
输出 使能 进入 时间
输出 使不能运转 时间 之后 s1
输出 使不能运转 时间 之后 s2
输出 使不能运转 时间 之后 oe 高
输出 使能 时间 之后 s1
输出 使能 时间 之后 s2
输出 使能 时间 之后 oe 低
数据 有效的 时间 之后 地址
150
150
150
75
50
50
50
150
10
10
5
10
120
120
120
60
40
40
40
120
10
10
5
10
70
70
70
35
25
25
25
70
10
10
5
10
100
100
100
50
35
35
35
100
10
10
5
10
写 循环 时间
写 脉冲波 宽度
地址 建制 时间
地址 建制 时间 和 遵守 至 w
碎片 选择 1 建制 时间
碎片 选择 2 建制 时间
数据 建制 时间
数据 支撑 时间
写 恢复 时间
输出 使不能运转 时间 从 w 低
输出 使不能运转 时间 从 oe 高
输出 使能 时间 从 w 高
输出 使能 时间 从 oe 低
35
35
100
75
0
85
85
85
40
0
0
5
5
40
40
120
85
0
100
100
100
45
0
0
5
5
25
25
70
55
0
65
65
65
30
0
0
5
5
50
50
150
100
0
120
120
120
50
0
0
5
5
VCC3.3±0.3v(-70vl,-70vll,-10vl,-10vll)
3.0±0.3v(-12vl,-12vll,-15vl,-15vll)
输入 脉冲波 水平的 vIH=2.2v,vIL=0.4v
输入 上升 和 下降 时间 5ns
涉及 水平的 vOH=VOL=1.5v
输出 负载 图.1,cL=100pf (-15vl,-15vll,)
CL=30pf (-70vl,-10vl,12vl,-70vll,-10vll,12vll)
CL=5pf (为 ten,tdis)
转变 是 量过的 ± 500mv 从 稳步的
状态 电压. (为 ten,tdis)
.................................
...............
.............
.....
...................
包含
scope 和 jig
1TTL
CL
DQ
图.1 输出 加载
最小值 MaxMin 最大值
-70vl,vll
-10vl,vll
-12vl,vll
-15vl,vll
-70vl,vll
-10vl,vll
MaxMinMaxMin
tCW
tw(w)
tsu(一个)
tsu(一个-wh)
tsu(s1)
tsu(s2)
tsu(d)
th(d)
trec(w)
tdis(w)
tdis(oe)
ten(w)
ten(oe)
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