传感器 设备
6 freescale 半导体
MPXY8000
电的 规格
最大 比率 是 这 extreme 限制 至 这个 这
设备 能 是 exposed 没有 permanently 损害的 它. 这
设备 包含 电路系统 至 保护 这 输入 相反 损坏
从 高 静态的 电压; 不管怎样, 做 不 应用 电压
高等级的 比 那些 显示 在 这 表格 在下. 保持 v
在
和
V
输出
在里面 这 范围 v
SS
≤
(v
在
或者 v
输出
)
≤
V
DD
.
electro 静态的 释放 (静电释放)
警告: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的
释放.
extra precaution 必须 是 带去 用 这 用户 至 保护 这
碎片 从 静电释放. 一个 承担 的 在 1000 伏特 能 accumulate
在 这 人 身体 或者 associated 测试 设备. 一个 承担
的 这个 巨大 能 改变 这 效能 或者 导致 失败
的 这 碎片. 当 处理 这 压力 传感器, 恰当的 静电释放
预防措施 应当 是 followed 至 避免 exposing 这 设备
至 discharges 这个 将 是 detrimental 至 它的 效能.
运行 范围
这 限制 正常情况下 预期的 在 这 application 这个 定义 范围 的 运作.
表格 3. 最大 比率
比率 标识 值 单位
供应 电压 V
DD
–
0.3 至 +4.0
V
短的 电路 能力(所有 管脚 excluding v
DD
和 v
SS
)
最大 高 电压 为 5 分钟
最小 低 电压 为 5 分钟
V
SC
V
SC
V
DD
V
SS
V
V
基质 电流 injection
电流 从 任何 管脚 至 v
SS
–
0.3 vdc)
I
SUB
600
µ
一个
静电的 释放
人 身体 模型 (hbm)
charged 设备 模型 (cdm)
机器 模型 (mm)
V
静电释放
V
静电释放
V
静电释放
±
1000
±
1000
±
200
V
V
V
存储 温度 范围
标准 温度 范围
T
stg
–
40 至 +150
°
C
表格 4. 运行 范围
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压
V
DD
2.1 3.0 3.6 V
运行 温度 范围
标准 温度 范围 T
一个
T
L
–
40
—
T
H
+125
°
C
供应 电流 流
备用物品 模式
−
40
°
c 至 +85
°
C
+
85
°
c 至 +100
°
C
+
100
°
c 至 +125
°
C
读 模式
−
40
°
c 至 +125
°
C
measure 温度 模式
−
40
°
c 至 +125
°
C
measure 压力 模式
−
40
°
c 至 +10
°
C
+
10
°
c 至 +60
°
C
+
60
°
c 至 +125
°
C
I
STBY
I
STBY
I
STBY
I
读
I
温度
I
PRESS
I
PRESS
I
PRESS
—
—
—
—
—
—
—
—
0.6
0.8
1.5
400
400
1400
1300
1200
0.9
1.2
2.2
600
600
1800
1700
1700
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
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