数据 薄板
2 mbit 只读存储器 + 1 mbit / 2mbit / 256 kbit sram
只读存储器/内存 combo
sst30vr021 / sst30vr022 / sst30vr023
3
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71135-02-000 4/01 380
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面
“
绝对 最大
压力 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
运行 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . -20
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . -65
°
c 至 +150
°
C
电压 在 任何 管脚 相关的 至 v
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至 v
DD
+ 0.5v
电压 在 v
DD
供应 相关的 至 v
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至 4.0v
电源 消耗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0w
焊接 温度 (10 秒 含铅的 仅有的) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . 260
°
C
O
PERATING
R
ANGE
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 2.7-3.3v
扩展
-20
°
c 至 +85
°
C
2.7-3.3v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 脉冲波 水平的
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0-v
DD
输入 &放大; 输出 定时 涉及 水平
. . . . . . .V
DD
/2
输入 上升/下降 时间 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 30 pf 为 70 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 100 pf 为 500 ns
表格 2: R
ECOMMENDED
直流 o
PERATING
C
ONDITIONS
标识 参数 最小值 最大值 单位
V
DD
供应 电压 2.7 3.3 V
V
SS
地面 0 0 V
V
IH
输入 高 电压 2.4 V
DD
+ 0.5 V
V
IL
输入 低 电压 -0.3 0.3 V
t2.0 380
表格 3: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
标识 参数
V
DD
= 3.0 ± 0.3v
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD1
只读存储器 运行 供应 电流 4.0+1.1(f)
1
1. f = 频率 的 运作 (mhz) = 1/循环 时间
毫安 ROMCS#=V
IL
, ramcs#=v
IH
,
V
在
=V
IH
或者 v
il,
I
i/o
=Opens
I
DD2
内存 运行 供应 电流 2.5+1(f)
1
毫安 ROMCS#=V
IH
, ramcs#=v
IL
, i
i/o
=Opens
I
SB
备用物品 v
DD
电流 10 µA ROMCS#
≥
V
DD
-0.2v, ramcs#
≥
V
DD
-0.2v
V
在
≥
V
DD
-0.2v 或者 v
在
≤
0.2v
I
LI
输入 泄漏 电流 -1 1 µA V
在
=V
SS
至 v
DD
I
LO
输出 泄漏 电流 -1 1 µA ROMCS#=RAMCS#=V
IH
或者 oe#=v
IH
或者
WE#=V
IL
, v
i/o
=V
SS
至 v
DD
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
= 1.0 毫安
V
OH
输出 高 电压 2.2 V I
OH
= -0.5 毫安
t3.3 380
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