SST30VR023_集成电路资料查询网

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数据 薄板
2 mbit 只读存储器 + 1 mbit / 2mbit / 256 kbit sram
只读存储器/内存 combo
sst30vr021 / sst30vr022 / sst30vr023
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71135-02-000 4/01 380
图示 5: 只读存储器 r
EAD
C
YCLE
T
IMING
D
IAGRAM
(romcs# &放大; oe# c
ONTROLLED
)
T
RC
T
AA
T
CO
T
lz(2)
T
ohz(1)
T
OH
T
hz(1,2)
数据 有效的
380 ill f03.0
数据 输出
OE#
ROMCS#
高-z
地址
T
OE
T
OLZ
注释: 1. t
HZ
和 t
OHZ
是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开 电路 情况
和 是 关联 至 这 v
OH
或者 v
OL
.
2. 在 任何 给 温度 和 电压 情况 t
HZ
(最大值) 是 较少 比 t
LZ
(最小值) 两个都 为 一个 给
设备 和 从 设备 至 设备.

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6 数据薄板 2 mbit 只读存储器 + 1 mbit / 2mbit / 256 kbit sram 只读存储器/内存 combo sst30vr021 / sst30vr022 / sst30vr023 ©2001 硅存储技术, 公司 s71135-02-000 4/01 380 图示 5: 只读存储器 r EAD C YCLE T IMING D IAGRAM (romcs# &放大; oe# c ONTROLLED ) T RC T AA T CO T lz(2) T ohz(1) T OH T hz(1,2) 数据有效的 380 ill f03.0 数据输出 OE# ROMCS# 高-z 地址 T OE T OLZ 注释: 1. t HZ 和 t OHZ 是定义作这时间在这个这输出达到这打开电路情况和是关联至这 v OH 或者 v OL . 2. 在任何给温度和电压情况 t HZ (最大值) 是较少比 t LZ (最小值) 两个都为一个给设备和从设备至设备.

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