数据 薄板
2 mbit 只读存储器 + 1 mbit / 2mbit / 256 kbit sram
只读存储器/内存 combo
sst30vr021 / sst30vr022 / sst30vr023
5
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71135-02-000 4/01 380
交流 特性
i. 只读存储器 运作
图示 4: 只读存储器 r
EAD
C
YCLE
T
IMING
D
IAGRAM
(一个
DDRESS
C
ONTROLLED
) (romcs# = oe# = v
IL
)
表格 5: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0v±0.3
标识 参数
sst30vr022-70 sst30vr021/023-500
单位最小值 最大值 最小值 最大值
T
RC
读 循环 时间 70 500 ns
T
AA
地址 进入 时间 70 500 ns
T
CO
碎片 选择 至 输出 70 500 ns
T
OE
输出 使能 至 有效的 输出 35 250 ns
T
LZ
碎片 选择 至 低-z 输出 0 25 ns
T
OLZ
输出 使能 至 低-z 输出 0 25 ns
T
HZ
碎片 使不能运转 至 高-z 输出 25 30 ns
T
OHZ
输出 使不能运转 至 高-z 输出 25 30 ns
T
OH
输出 支撑 从 地址 改变 10 15 ns
t5.1 380
T
RC
T
AA
数据 有效的
380 ill f02.0
数据 输出 previous 数据 有效的
地址
T
OH
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