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资料编号:940309
 
资料名称:SI4854DY
 
文件大小: 53K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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Si4854DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71444
s-03476
rev. 一个, 16-apr-01
www.vishay.com
3

 
0
6
12
18
24
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
0
6
12
18
24
30
0246810
V
GS
= 10 thru 3 v
T
C
= 125
C
55
C
2 v
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
ds(在)
)
0
300
600
900
1200
1500
0 6 12 18 24 30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
048121620
0.000
0.015
0.030
0.045
0.060
0.075
0 6 12 18 24 30
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 6.9 一个
I
D
流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 6.9 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
C
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 2.5 v
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