Si4854DY
vishay siliconix
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4
文档 号码: 71444
s-03476
—
rev. 一个, 16-apr-01
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0246810
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 6.9 一个
40
10
1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
–
源-至-流 电压 (v) V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
–
源 电流 (一个)I
S
0
30
50
10
20
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
40
10
–
3
10
–
2
1 10 60010
–
1
10
–
4
100
–
0.8
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
0.4
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
–
温度 (
c)
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 93
c/w
3. t
JM
–
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
1 100 6001010
–
1
10
–
2
10
–
3