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资料编号:940309
 
资料名称:SI4854DY
 
文件大小: 53K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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Si4854DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71444
s-03476
rev. 一个, 16-apr-01
www.vishay.com
5

 
10
3
10
2
11010
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-foot
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗

 
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
电容 (pf)
电容
0 25 50 75 100 125 150
0
40
80
120
160
200
0 6 12 18 24 30
20
10
0.0001
反转 电流 vs. 接合面 温度
反转 电流 (毫安)I
R
T
J
温度 (
c)
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
10
1
向前 电压 漏出
向前 电流 (一个)I
F
V
F
向前 电压 漏出 (v)
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
30 v
24 v
0.001
0.01
0.1
1
C
oss
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