12
µ
PD75P116
函数
电压 应用 管脚 为 程序 记忆 写/核实
(正常情况下 v
DD
潜在的).
地址 更新 时钟 输入 为 程序 记忆 写/
核实. inverse 的 x1 管脚 信号 是 输入 至 x2 管脚.
运行 模式 选择 管脚 为 程序 记忆 写/
核实.
8-位 数据 输入/输出 管脚 为 progrm 记忆 写/
核实.
供应 电压 应用 管脚.
应用 5 v
±
10 % 在 正常的 运作, 和 6 v 为
程序 记忆 写/核实.
管脚 名字
V
PP
x1, x2
md0 至 md3
p40 至 p43 (低-顺序 4 位)
p50 至 p53 (高-顺序 4 位)
V
DD
便条 自从 这
µ
pd75p116 是 一个 一个-时间 prom 版本, uv-ray erasure 是 不 可能.
3.1 程序 记忆 写/核实 运行 模式
这
µ
pd75p116 假设 这 程序 记忆 写/核实 模式 是 +6 v 和 +12.5 v 是 应用 respec-
tively 至 这 v
DD
和 v
PP
管脚. 这 表格 在下 显示 这 运行 模式 有 用 这 md0 至 md3 管脚
设置 在 这个 模式. 这 rest 的 管脚 是 所有 设置 在 这 v
SS
潜在的 用 这 拉-向下 电阻.
V
PP
+12.5 v
V
DD
+6 v
MD0
H
L
L
H
MD1
L
H
L
×
MD2
H
H
H
H
MD3
L
H
H
H
运行 模式
程序 记忆 地址 零-clear
写 模式
核实 模式
程序 inhibit 模式
运行 模式 设置
×
: l 或者 H
3. prom (程序 记忆) 写 和 核实
这 只读存储器 建造 在 这
µ
pd75p116 是 一个 16256
×
8-位 prom. 这 管脚 显示 在 这 表格 在下 是 使用 至
写/核实 这个 prom. 那里 是 非 地址 输入; instead, 一个 方法 至 更新 这 地址 用 这 时钟 输入
从 这 x1 管脚 是 adopted.
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