13
µ
PD75P116
数据 input
数据 input
Write
Verify
额外的
Write
Address
Increment
重复的 x times
数据 输出
V
PP
V
PP
V
DD
V
DD
V
DD
+ 1
V
DD
X1
p40-p43
p50-p53
MD0
MD1
MD2
MD3
3.2 程序 记忆 写 程序
这 程序 记忆 writing 程序 是 显示 在下. 高-速 写 是 可能.
(1) 拉 向下 一个 管脚 这个 是 不 使用 至 v
SS
通过 这 电阻. 一个 低-水平的 信号 是 输入 至 这 x1 管脚.
(2) 供应 +5 v 至 这 v
DD
和 v
PP
管脚.
(3) 10
µ
s wait.
(4) 这 程序 记忆 地址 0 clear 模式.
(5) 供应 +6 v 和 +12.5 v 各自 至 v
DD
和 v
PP
.
(6) 这 程序 inhibit 模式.
(7) 写 数据 在 这 1-ms 写 模式.
(8) 这 程序 inhibit 模式.
(9) 这 核实 模式. 如果 写, proceed 至 (10); 如果 不 写, repeat (7) 至 (9).
(10) (号码 的 时间 写 在 (7) 至 (9): x)
×
1-ms 额外的 写.
(11) 这 程序 inhibit 模式.
(12) 更新 (+1) 这 程序 记忆 地址 用 inputting 4 脉冲 至 这 x1 管脚.
(13) repeat (7) 至 (12) 向上 至 这 last 地址.
(14) 这 程序 记忆 地址 0 clear 模式.
(15) 改变 这 v
DD
和 v
PP
管脚 电压 至 +5 v.
(16) 电源 止.
这 图解 在下 显示 这 程序 的 这 在之上 (2) 至 (12).
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