mrf175gu mrf175gv
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motorola rf 设备 数据
电的 特性 — 持续
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
在 特性
(1)
门 门槛 电压 (v
DS
= 10 v, i
D
= 100 毫安) V
gs(th)
1.0 3.0 6.0 Vdc
drain–source on–voltage (v
GS
= 10 v, i
D
= 5.0 一个) V
ds(在)
0.1 0.9 1.5 Vdc
向前 跨导 (v
DS
= 10 v, i
D
= 2.5 一个) g
fs
2.0 3.0 — mhos
动态 特性
(1)
输入 电容 (v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
iss
— 180 — pF
输出 电容 (v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
oss
— 200 — pF
反转 转移 电容 (v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
rss
— 20 — pF
函数的 特性 — mrf175gv
(2)
(图示 1)
一般 源 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 200 w, f = 225 mhz, i
DQ
= 2.0 x 100 毫安)
G
ps
12 14 — dB
流 效率
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 200 w, f = 225 mhz, i
DQ
= 2.0 x 100 毫安)
η
55 65 — %
电的 强壮
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 200 w, f = 225 mhz, i
DQ
= 2.0 x 100 毫安,
vswr 10:1 在 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
注释:
1. 各自 一侧 的 设备 量过的 separately.
2. 量过的 在 push–pull 配置.
图示 1. 225 mhz 测试 电路
c1 — arco 404, 8.0– 60 pf
c2, c3, c7, c8 — 1000 pf 碎片
c4, c9 — 0.1
µ
f 碎片
c5 — 180 pf 碎片
c6 — 100 pf 和 130 pf 碎片 在 并行的
c10 — 0.47
µ
f 碎片, kemet 1215 或者 相等的
l1 — 10 转变 awg #16 enamel 线, 关闭
l1 —伤害, 1/4
″
i.d.
l2 — ferrite beads 的 合适的 材料 为
l2 —1.5– 2.0
µ
h 总的 电感
板 材料 — .062
″
fiberglass (g10),
二 sided, 1 oz. 铜,
ε
r
^
5
除非 否则 指出, 所有 碎片 电容
是 atc 类型 100 或者 相等的.
r1 — 100 ohms, 1/2 w
r2 — 1.0 k ohm, 1/2 w
t1 — 4:1 阻抗 比率 rf 变压器.
t1 —能 是 制造 的 25 ohm semirigid coax,
t1 —47–52 毫英寸 o.d.
t2 — 1:9 阻抗 比率 rf 变压器.
t2 —能 是 制造 的 15– 18 ohms semirigid
t2 —coax, 62– 90 毫英寸 o.d.
便条: 为 稳固, 这 输入 变压器 t1 应当 是 承载
便条:和 ferrite toroids 或者 beads 至 增加 这 一般
便条:模式 电感. 为 运作 在下 100 mhz. 这
便条:一样 是 必需的 为 这 输出 变压器.
偏差 0 – 6 v
R1
C3 C4
R2
C1 C2
T1
C5
d.u.t.
C6
T2
C7
L1
C8 C9
L2
C10
+
–
28 v
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