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资料编号:949411
 
资料名称:MRF175GU
 
文件大小: 214K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
 
 


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3
mrf175gu mrf175gv
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
函数的 特性 — mrf175gu
(1)
(图示 2)
一般 源 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 150 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 2.0 x 100 毫安)
G
ps
10 12 dB
流 效率
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 150 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 2.0 x 100 毫安)
η
50 55 %
电的 强壮
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 150 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 2.0 x 100 毫安,
vswr 10:1 在 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
便条:
1. 量过的 在 push–pull 配置.
图示 2. 400 mhz 测试 电路
b1 — balun 50
semi rigid coax 0.086
o.d. 2
b2 — balun 50
semi rigid coax 0.141
o.d. 2
c1, c2, c8, c9 — 270 pf atc 碎片 cap
c3, c5, c7 — 1.0 20 pf trimmer cap
c4 — 15 pf atc 碎片 cap
c6 — 33 pf atc 碎片 cap
c10, c12, c13, c16, c17 — 0.01
µ
f 陶瓷的 cap
c11 — 1.0
µ
f 50 v tantalum
c14, c15 — 680 pf feedthru cap
c18 — 20
µ
f 50 v tantalum
l1, l2 — hairpin inductor #18 线
l3, l4 — 12 turns #18 enameled 线 0.340
″
i.d.
l5 — ferroxcube vk200 20/4b
l6 — 3 turns #16 enameled 线 0.340
i.d.
r1 — 1.0 k
1/4 w 电阻
r2, r3 — 10 k
1/4 w 电阻
z1, z2 — microstrip 线条 0.400
x 0.250
z3, z4 — microstrip 线条 0.870
x 0.250
z5, z6 — microstrip 线条 0.500
x 0.250
板 材料 — 0.060
teflon–fiberglass,
ε
r
= 2.55, 铜 clad 两个都 sides, 2 oz. 铜.
偏差
C10 C11
R1
C12 C13
C14 C15
L5 L6
C18
28 v
B1
C3 C4
C5
C6
C7
B2
C2
L2
R3
L4
C16 C17
BA
Z2
Z1 Z3 Z5
Z4 Z6
0.180
0.200
一个
B
d.u.t.
R2
L3
C9
C1
L1
C8
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