mrf175gu mrf175gv
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motorola rf 设备 数据
输入 和 输出 阻抗
图示 13. 序列 相等的 输入/输出 阻抗
便条:输入 和 输出 阻抗 值 给 是 量过的 从 门 至 门 和 流 至 流 各自.
Z
OL
*
Z
在
f = 500 mhz
f = 500 mhz
400
400
300
225
150
100
50
30
225
300
225
150
100
50
30
Z
OL
*
Z
o
= 10
Ω
Z
OL
*=conjugate 的 这 最佳的 加载
阻抗在 这个 这 设备
运作在 一个 给 输出 电源,
电压 和 频率.
f
MHz
Z
在
OHMS
Z
OL
*
OHMS
225
300
400
500
1.95 – j2.30
1.75 – j0.20
1.60 + j2.20
1.35 + j4.00
3.10 – j0.25
2.60 + j0.20
2.00 + j1.20
1.70 + j2.70
(p
输出
= 150 w)
30
50
100
150
225
6.50 – j5.10
5.00 – j4.80
3.60 – j4.20
2.80 – j3.60
1.95 – j2.30
6.30 – j2.50
5.75 – j2.75
4.60 – j2.65
2.60 – j2.20
2.60 – j0.60
(p
输出
= 200 w)
V
DD
= 28 v, i
DQ
= 2 x 100 毫安
rf 电源 场效应晶体管 仔细考虑
场效应晶体管 capacitances
这物理的 结构 的 一个 场效应晶体管 结果 在 电容
在这 terminals. 这 metal oxide 门 结构deter-
mines这 电容 从 gate–to–drain (c
gd
), 和 gate–to–
源 (c
gs
). 这 pn 接合面 formed 在 这 fabrication
的这 场效应晶体管 结果 在 一个 接合面 电容 从drain–
to–source (c
ds
).
这些capacitances 是 典型 作 输入 (c
iss
), 输出-
放 (c
oss
) 和 反转 转移 (c
rss
) capacitances 在 数据
薄板. 这relationships 在 这 inter–terminal capaci-
tances和 那些 给 在 数据 薄板 是 显示 在下.这
C
iss
能 是 指定 在 二 方法:
1. 流短接 至 源 和 积极的 电压 在 这 门.
2. 积极的电压 的 这 流 在 遵守 至 源 和 零
伏特在 这 门. 在 这 latter 情况 这 号码 是 更小的.
不管怎样,neither 方法 代表 这 真实的 operat-
ing 情况 在 rf 产品.
C
gd
门
源
C
gs
流
C
ds
C
iss
= c
gd
+ c
gs
C
oss
= c
gd
+ c
ds
C
rss
= c
gd
这C
iss
给 在 这 电的 特性 表格 是
量过的using method 2 一个bove.It should be noted that
C
iss
, c
oss
, c
rss
是 量过的 在零 流 电流 和 是
提供为 一般 信息 关于 这 设备. 它们是
不rf 设计 参数 和 非 attempt 应当 是 制造 至
使用 它们 作 此类.
线性 和 增益 特性
在增加 至 这 典型 imd 和 电源 增益, 数据 pres-
ented在 图示 3 将 给 这 设计者 额外的 informa-
tion在 这 能力 的 这个 设备.这 图表 代表
这 小 信号 统一体 电流 增益 频率 在 一个 给 流
电流水平的. 这个是 相等的 至 f
T
为 双极 晶体管.
自从这个 测试 是 执行 在 一个 快 sweep 速, 加热 的
这设备 做 不 出现. 因此, 在 正常的 使用, 这高等级的
温度将 降级 这些 特性 至 一些 ex-
tent.
流 特性
一个图示 的 merit 为 一个 场效应晶体管 是它的 静态的 阻抗 在 这
full–on情况. 这个 on–resistance, v
ds(在)
, occurs 在 这
直线的区域 的 这 输出 典型的 和 是 指定un-
der明确的 测试 情况 为 gate–source 电压 和 流
电流. 为 mosfets, v
ds(在)
有 一个 积极的 温度
系数和 constitutes 一个 重要的 设计 仔细考虑
在高温度, 因为 它 contributes 至 这 电源
消耗 在里面 这 设备.
门 特性
这门 的 这场效应晶体管 是 一个 polysilicon 材料, 和 是
用电气分开的 从 这 源 用 一个 layer 的 oxide. 这
输入 阻抗是 非常 高 — 在 这 顺序 的 10
9
ohms —
结果 在 一个 泄漏 电流 的 一个 few nanoamperes.
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