rev. 0 –3–
ADP3410
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
低-一侧 驱动器
输出 阻抗, sourcing 电流 V
CC
= 4.6 v 2.5 5
Ω
输出 阻抗, sinking 电流 V
CC
= 4.6 v 2.5 5
Ω
drvl 转变 时间
2
tr
drvl,
V
CC
= 4.6 v, c
加载
= 3 nf 20 35 ns
(看 图示 6) tf
DRVL
drvl 传播 延迟
2, 3
tpdh
DRVL
V
CC
= 4.6 v 5 30 ns
(看 图示 6) tpdl
DRVL
25 ns
注释
1
所有 限制 在 温度 extremes 是 有保证的 通过 correlation 使用 标准 statistical 质量 控制 (sqc) 方法.
2
交流 specifications 是 有保证的 用 描绘, 但是 不 生产 测试.
3
为 传播 延迟,
tpdh
谈及 至 这 specified 信号 going 高,
tpdl
谈及 至 它 going 低.
4
传播 延迟 量过的 直到 drvl begins 它的 转变.
5
逻辑 输入 满足 典型 cmos i/o 情况 为 源/下沉 电流 (~1毫安).
6
最大 传播 延迟 = 40 ns 最大值 + (1 ns/pf
×
C
DLY
).
specifications 主题 至 改变 没有 注意.
绝对 最大 ratings*
vcc 至 pgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7 v
bst 至 pgnd. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +30 v
bst 至 sw . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7 v
sw 至 pgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –2.0 v 至 +25 v
ovpset 至 pgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +10 v
SD
, 在,
DRVLSD
至 地 . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7.3 v
地 至 pgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
0.3 v
运行 包围的 温度 范围 . . . . . . . 0
°
c 至 85
°
C
运行 接合面 温度 范围 . . . . . . 0
°
c 至 125
°
C
θ
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
°
c/w
θ
JC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
°
c/w
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . . 300
°
C
*this 是 一个 压力 比率 仅有的; 运作 在之外 这些 限制 能 导致 这 设备 至
是 permanently 损坏.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 adp3410 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
订货 手册
模型 温度 包装 包装
范围 描述 选项
ADP3410KRU 0
°
c 至 85
°
C 薄的 shrink 小 ru-14
外形 包装
(tssop-14)
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