二月.1999
10
0
23 5710
1
40
20
23 5710
2
44
60
80
100
30
10
50
70
90
0
3.80.6 1.4 2.2 3.01.0 1.8 2.6 3.4
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
T
j
= 125°c
T
j
= 25°c
最大 在-状态 特性
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v)
评估 surge 在-状态 电流
surge 在-状态 电流 (一个)
传导 时间
(循环 在 60hz)
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
bcr8pm-18
中等 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
✽
2. 度量 使用 这 门 触发 特性 度量 电路.
✽
3. 这 核心的-比率 的 上升 的 这 止-状态 commutating 电压 是 显示 在 这 表格 在下.
✽
4. 这 联系 热的 阻抗 r
th (c-f)
在 情况 的 greasing 是 0.5
°
c/w.
测试 情况
电压
类
V
DRM
(v)
最小值
commutating 电压 和 电流 波形
(inductive 加载)
(dv/dt)
c
标识 单位
v/
µ
s
1. 接合面 温度
T
j
=125
°
C
2. 比率 的 decay 的 在-状态 commutat-
ing 电流
(di/dt)
c
=–4.0a/ms
3. 顶峰 止-状态 电压
V
D
=400V
标识
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
th (j-c)
(dv/dt)
c
参数
repetitive 顶峰 止-状态 电流
在-状态 电压
门 触发 电压
✽
2
门 触发 电流
✽
2
门 非-触发 电压
热的 阻抗
核心的-比率 的 上升 的 止-状态
commutating 电压
测试 情况
T
j
=125
°
c, v
DRM
应用
T
c
=25
°
c, i
TM
=12a, instantaneous 度量
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=6
Ω
, r
G
=330
Ω
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=6
Ω
, r
G
=330
Ω
T
j
=125
°
c, v
D
=1/2v
DRM
接合面 至 情况
✽
4
单位
毫安
V
V
V
V
毫安
毫安
毫安
V
°
c/w
v/
µ
s
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
!
@
#
!
@
#
电的 特性
限制
最小值
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
—
✽
3
最大值
2.0
1.6
1.5
1.5
1.5
30
30
30
—
3.7
—
供应
电压 时间
时间
时间
主要的 电流
主要的
电压
(di/dt)c
V
D
(dv/dt)c
效能 曲线
R—
L10
18 900
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