二月.1999
160
100
80
40
20
0
14040–40–60
–20 0 20 60 80
140
100120
60
120
典型 例子
breakover 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
commutation 特性
核心的 比率 的 上升 的 止-状态
commutating 电压 (v/µs)
比率 的 decay 的 在-状态
commutating 电流 (一个/ms)
breakover 电压 vs.
比率 的 上升 的
止-状态 电压
比率 的 上升 的 止-状态 电压 (v/µs)
100 (%)
breakover 电压
(
dv/dt = xv/µs
)
breakover 电压
(
dv/dt = 1v/µs
)
门 触发 电流 vs.
门 电流 脉冲波 宽度
门 电流 脉冲波 宽度 (µs)
100 (%)
门 触发 电流
(
tw
)
门 触发 电流
(
直流
)
10
1
10
3
7
5
3
2
10
0
23 5710
1
10
2
7
5
3
2
23 5710
2
4
4
44
I
rgt iii
I
rgt i
I
fgt i
典型 例子
2310
1
5710
2
23 5710
3
23 5710
4
120
0
20
40
60
80
100
140
160
典型 例子
T
j
= 125°c
i quadrant
iii quadrant
10
1
2310
0
5710
1
23 5710
2
23 5710
3
3
2
10
2
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
10
0
典型
例子
T
j
= 125°c
I
T
= 4a
τ
= 500µs
V
D
= 200v
f = 3hz
i quadrant
iii quadrant
最小
charac-
TERISTICS
值
电压 波形
电流 波形
V
D
t
(dv/dt)
C
I
T
τ
t
(di/dt)
C
100 (%)
breakover 电压
(
T
j
= t°C
)
breakover 电压
(
T
j
= 25°C
)
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
bcr8pm-18
中等 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
6
Ω
6
Ω
6
Ω
6V 6V
6V
R
G
R
G
R
G
一个
V
一个
V
一个
V
测试 程序
1
测试 程序
3
测试 程序
2
门 触发 特性 测试 电路
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