二月.1999
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
4.0
0
2310
2
5710
3
23 5
10
0
2310
1
5710
2
23 5710
3
23 5710
4
3
2
10
1
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
10
–1
V
GD
= 0.2v
P
GM
= 5w
P
g(av)
= 0.5wv
GM
= 10v
V
GT
= 1.5v
I
GM
= 2a
I
fgt i
I
rgt i,
I
rgt iii
10
1
10
3
7
5
3
2
–60 –20 20
10
2
7
5
3
2
60 100 140
4
4
–40 0 40 80 120
典型 例子
10
1
10
3
7
5
3
2
–60 –20 20
10
2
7
5
3
2
60 100 140
4
4
–40 0 40 80 120
I
rgt i ,
I
fgt i
I
rgt iii
典型 例子
最大 在-状态 电源
消耗
在-状态 电源 消耗 (w)
rms 在-状态 电流 (一个)
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 情况)
瞬时 热的 阻抗 (
°
c/w)
传导 时间
(循环 在 60hz)
门 电压 (v)
门 电流 (毫安)
门 触发 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
门 触发 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 包围的)
瞬时 热的 阻抗 (
°
c/w)
传导 时间
(循环 在 60hz)
10
3
10
–1
10
3
10
4
10
2
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
23 57 23 57
10
2
10
5
23 57 23 57
非 fins
16
12
6
4
2
14
10
8
0
160
24 86 101214
360
°
传导
resistive,
INDUCTIVE
负载
门 特性
100 (%)
门 触发 电流 (t
j
= t
°
c)
门 触发 电流 (t
j
= 25
°
c)
100 (%)
门 触发 电压
(
T
j
= t
°
C
)
门 触发 电压
(
T
j
= 25
°
C
)
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
bcr8pm-18
中等 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
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