飞利浦 半导体
buk78150-55a
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 规格 rev. 01 — 30 january 2001 7 的 13
9397 750 07738
© 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=V
GS
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
T
j
=25
°
c; v
DS
=25V V
GS
= 0 v; f = 1 MHz
图 11. 向前 跨导 作 一个 函数 的
流 电流; 典型 值.
图 12. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances
作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型
值.
03aa32
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60 -20 20 60 100 140 180
V
gs(th)
T
j
(
o
c)
(v)
最大值
典型值
最小值
03aa35
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
012345
maxtypmin
V
GS
(v)
I
D
(一个)
03nb88
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0246810
I
D
(一个)
g
fs
(s)
03nb93
0
50
100
150
200
250
300
350
10
-2
10
-1
1 10
10
2
V
DS
(v)
c (pf)
Ciss
Coss
Crss