首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:972303
 
资料名称:BUK78150-55A
 
文件大小: 295K
   
说明
 
介绍:
TrenchMOS standard level FET
 
 


: 点此下载
  浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第7页
7

8
浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号BUK78150-55A的Datasheet PDF文件第12页
12
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体
buk78150-55a
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 规格 rev. 01 — 30 january 2001 8 的 13
9397 750 07738
© 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
V
DS
=25V T
j
=25
°
c; i
D
=5A
图 13. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
图 14. 门-源 电压 作 一个 函数 的 转变-在
门 承担; 典型 值.
V
GS
=0V
图 15. 反转 二极管 电流 作 一个 函数 的 反转 二极管 电压; 典型 值.
03nc22
0
2
4
6
8
10
0246810
V
GS
(v)
I
D
(一个)
T
j
= 150
O
C
T
j
= 25
O
C
03nb87
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0246
Q
G
(nc)
V
GS
(v)
V
DD
= 44 v
V
DD
= 14 v
03nc23
0
10
20
30
40
50
60
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
V
SD
(v)
I
S
(一个)
T
j
= 150
O
CT
j
= 25
O
C
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com