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电的 规格
在 推荐 温度 (t
一个
= –40
°
c 至 +100
°
c) 和 4.5 v
≤
V
DD
≤
5.5 v.
所有 典型 规格 是 在 t
一个
= 25
°
c, v
DD
= +5 v.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况 图. 注释
输入 向前 电压 V
F
1.3 1.5 1.8 V I
F
= 12 毫安 1
输入 反转 BV
R
5VI
R
= 10
µ
一个
损坏 电压
逻辑 高 输出 V
OH
4.0 4.8 V I
F
= 0, i
O
= –20
µ
一个
电压
逻辑 低 输出 V
OL
0.01 0.1 V I
F
= 12 毫安, i
O
= 20
µ
一个
电压
输入 门槛 电流 I
TH
8.2 毫安 I
OL
= 20
µ
A2
逻辑 低 输出 I
DDL
6.0 14.0 毫安 I
F
= 12 毫安 4
供应 电流
逻辑 高 输出 I
DDH
4.5 11.0 毫安 I
F
= 0 3
供应 电流
切换 规格
在 推荐 温度 (t
一个
= –40
°
c 至 +100
°
c) 和 4.5 v
≤
V
DD
≤
5.5 v.
所有 典型 规格 是 在 t
一个
= 25
°
c, v
DD
= +5 v.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况 图. 注释
传播 延迟 时间 t
PHL
20 35 60 ns I
F
= 12 毫安, c
L
= 15 pf 5 1
至 逻辑 低 输出 cmos 信号 水平
传播 延迟 时间 t
PLH
13 21 60 ns I
F
= 12 毫安, c
L
= 15 pf 5 1
至 逻辑 高 输出 cmos 信号 水平
脉冲波 宽度 PW 100 ns
脉冲波 宽度 扭曲量
|PWD| 0 14 30 ns I
F
= 12 毫安, c
L
= 15 pf 2 2
cmos 信号 水平
传播 延迟 skew t
PSK
40 ns I
F
= 12 毫安, c
L
= 15 pf 3 3
cmos 信号 水平
输出 上升 时间 t
R
20 ns I
F
= 12 毫安, c
L
= 15 pf
(10 - 90%) cmos 信号 水平
输出 下降 时间 t
F
25 ns I
F
= 12 毫安, c
L
= 15 pf
(90 - 10%) cmos 信号 水平
一般 模式 |CM
H
| 10 15 kv/
µ
sV
CM
= 1000 v, t
一个
= 25
°
c, 4 4
瞬时 免除 在 I
F
= 0 毫安
逻辑 高 输出
一般 模式 |CM
L
| 10 15 kv/
µ
sV
CM
= 1000 v, t
一个
= 25
°
c, 5 5
瞬时 免除 在 I
F
= 12 毫安
逻辑 低 输出
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