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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
高 电压 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级– 发射级 电压 V
CEO
140 Vdc
集电级– 根基 电压 V
CBO
160 Vdc
发射级– 根基 电压 V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
600 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质,
(2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbt5550lt1 = m1f; mmbt5551lt1 = g1
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级– 发射级 损坏 电压
(3)
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0) MMBT5550
MMBT5551
V
(br)ceo
140
160
—
—
Vdc
集电级– 根基 损坏 电压
(i
C
= 100
m
模数转换器, i
E
= 0) MMBT5550
MMBT5551
V
(br)cbo
160
180
—
—
Vdc
发射级– 根基 损坏 电压
(i
E
= 10
m
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
6.0 —
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 100 vdc, i
E
= 0) MMBT5550
(v
CB
= 120 vdc, i
E
= 0) MMBT5551
(v
CB
= 100 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c) MMBT5550
(v
CB
= 120 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c) MMBT5551
I
CBO
—
—
—
—
100
50
100
50
nAdc
µ
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= 4.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
— 50
nAdc
1. FR– 5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 300
m
s, 职责 循环 = 2.0%.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mmbt5550lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBT5550LT1
MMBT5551LT1
1
2
3
情况 318 – 08, 样式 6
SOT– 23 (至 – 236ab)
*motorola preferred 设备
*
motorola, 公司 1996
集电级
3
1
根基
2
发射级
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