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MMBT5550LT1 MMBT5551LT1
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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出) (持续)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBT5550
MMBT5551
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBT5550
MMBT5551
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBT5550
MMBT5551
h
FE
60
80
60
80
20
30
—
—
250
250
—
—
—
集电级– 发射级 饱和 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 1.0 madc) 两个都 类型
(i
C
= 50 madc, i
B
= 5.0 madc) MMBT5550
MMBT5551
V
ce(sat)
—
—
—
0.15
0.25
0.20
Vdc
根基 – 发射级 饱和 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 1.0 madc) 两个都 类型
(i
C
= 50 madc, i
B
= 5.0 madc) MMBT5550
MMBT5551
V
是(sat)
—
—
—
1.0
1.2
1.0
Vdc

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MMBT5550LT1 MMBT5551LT1 2 motorola small–signal 晶体管, fets 和二极管设备数据电的特性 (t 一个 = 25 ° c 除非否则指出) (持续) 典型的标识最小值最大值单位在特性直流电流增益 (i C = 1.0 madc, v CE = 5.0 vdc) MMBT5550 MMBT5551 (i C = 10 madc, v CE = 5.0 vdc) MMBT5550 MMBT5551 (i C = 50 madc, v CE = 5.0 vdc) MMBT5550 MMBT5551 h FE 60 80 60 80 20 30 — — 250 250 — — — 集电级– 发射级饱和电压 (i C = 10 madc, i B = 1.0 madc) 两个都类型 (i C = 50 madc, i B = 5.0 madc) MMBT5550 MMBT5551 V ce(sat) — — — 0.15 0.25 0.20 Vdc 根基 – 发射级饱和电压 (i C = 10 madc, i B = 1.0 madc) 两个都类型 (i C = 50 madc, i B = 5.0 madc) MMBT5550 MMBT5551 V 是(sat) — — — 1.0 1.2 1.0 Vdc

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