MMBT5550LT1 MMBT5551LT1
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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
图示 1. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
500
h , 直流 电流 增益
FE
T
J
= 125
°
C
– 55
°
C
25
°
C
5.0
10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
200
30
20
300
100
50
7.0
V
CE
= 1.0 v
V
CE
= 5.0 v
图示 2. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
1.0
I
C
= 1.0 毫安
0
0.3
0.005 0.01 0.2 0.5 1.0
2.0 20 50
0.8
0.5
0.4
0.9
0.7
0.6
0.2
0.02 0.05 0.1
10
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
0.1
10 毫安
30 毫安
100 毫安
5.0
图示 3. 集电级 cut–off 区域
V
是
, base–emitter 电压 (伏特)
10
1
10
–5
0.4 0.3 0.1
10
0
10
–1
10
–2
10
–3
10
–4
0.2 0 0.1 0.2 0.40.3 0.60.5
V
CE
= 30 v
T
J
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
I
C
= i
CES
, 集电级 电流 ( 一个)
µ
I
C
反转 向前
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
1.0
v, 电压 (伏特)
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
T
J
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
0.1 0.2 0.5
图示 4. “on” 电压
0.8
0.6
0.4
0.2
0
3.0 300.3
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