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资料编号:994392
 
资料名称:IRF7309
 
文件大小: 162K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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IRF7309
p-频道
图 22b.
门 承担 测试 电路
图 22b.
基本 门 承担 波形
n- 和 p-频道
图 23.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
0.1
1
10
100
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t,Rectangul一个rPulseDur一个ti(sec)
1
D=0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLEPULSE
(THERM一个LRESPONSE)
一个
热的 回馈 (z )
thJA
P
t
2
1
t
DM
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰 t = p x z + t
1 2
J
DM
thJA
一个
谈及 至 这 附录 部分 为 这 下列的:
附录 一个:
图示 24, 顶峰 二极管 恢复 dv/dt 测试 电路 — 看 页 329.
附录 b:
包装 外形 机械的 绘画 — 看 页 332.
附录 c:
部分 标记 信息 — 看 页 332.
附录 d:
录音带 和 卷轴 信息 — 看 页 336.
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