IRF7309_集成电路资料查询网

152
IRF7309
p-频道
图 14.
典型 转移 特性
图 15.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 16.
典型 电容 vs. 流-至-
源 电压
图 17.
典型 门 承担 vs. 门-至-
源 电压
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
V=0V,f=1MHz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
ossdsgd
C
iss
C
oss
C
rss
1
10
100
4 5 6 7 8 9 10
T=25°C
T=150°C
J
J
GS
D
一个
-i   , 流-至-源 电流 (一个)
-V,G一个te-to-SourceVoltage(V)
V=-15V
20µsPULSEWIDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
T,Juncti在Temper一个ture(°C)
r           ,  流-至-源 在 阻抗
ds(在)
(normalized)
一个
V=-10V
GS
I=-3.0一个
D
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25
Q,Tot一个lG一个teCharge(nC)
G
一个
-v     , 门-至-源 电压 (v)
GS
I=-3.0一个
V=-24V
DS
D
FORTESTCIRCUIT
看FIGURE22

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152 IRF7309 p-频道图 14. 典型转移特性图 15. normalized 在-阻抗 vs. 温度图 16. 典型电容 vs. 流-至- 源电压图 17. 典型门承担 vs. 门-至- 源电压 0 200 400 600 800 1000 1 10 100 c, 电容 (pf) 一个 DS -V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V) V=0V,f=1MHz C=C+C,CSHORTED C=C C=C+C GS issgsgdds rssgd ossdsgd C iss C oss C rss 1 10 100 4 5 6 7 8 9 10 T=25°C T=150°C J J GS D 一个 -i , 流-至-源电流 (一个) -V,G一个te-to-SourceVoltage(V) V=-15V 20µsPULSEWIDTH DS 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 J T,Juncti在Temper一个ture(°C) r , 流-至-源在阻抗 ds(在) (normalized) 一个 V=-10V GS I=-3.0一个 D 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 20 25 Q,Tot一个lG一个teCharge(nC) G 一个 -v , 门-至-源电压 (v) GS I=-3.0一个 V=-24V DS D FORTESTCIRCUIT 看FIGURE22

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