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资料编号:994392
 
资料名称:IRF7309
 
文件大小: 162K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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150
IRF7309
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 5.
典型 电容 vs. 流-至-
源 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
n-频道
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
一个
V=0V,f=1MHz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
ossdsgd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25
Q,Tot一个lG一个teCharge(nC)
G
v , 门-至-源 电压 (v)
GS
一个
I=2.4一个
V=24V
D
DS
FORTESTCIRCUIT
FIGURE11
0.1
1
10
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
T=25°C
T=150°C
J
J
V=0V
GS
V,Source-to-Dr一个inVoltage(V)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
一个
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
DS
i , 流 电流 (一个)
OPER一个TIONINTHIS一个REALIMITED
R
D
DS()
T=25°C
T=150°C
SinglePulse
100µs
1ms
10ms
100ms
一个
一个
J
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