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资料编号:994413
 
资料名称:IRF7494
 
文件大小: 567K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7494
2 www.irf.com
S
D
G
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 150 ––– ––– V
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.15 ––– v/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 35 44
m
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.5 ––– 4.5 V
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 1.0 µA
––– ––– 250
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
gfs 向前 跨导 12 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– 36 54
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 7.5 ––– nC
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 13 –––
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 15 –––
t
r
上升 时间 –––13–––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 36 ––– ns
t
f
下降 时间 –––14–––
C
iss
输入 电容 ––– 1750 –––
C
oss
输出 电容 ––– 220 –––
C
rss
反转 转移 电容 ––– 100 ––– pF
C
oss
输出 电容 ––– 870 –––
C
oss
输出 电容 ––– 120 –––
C
oss
eff.
有效的 输出 电容 ––– 170 –––
avalanche 特性
参数 单位
E
Single 脉冲波 avalanche energy
d
mJ
I
AR
avalanche 电流
Ã
一个
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 2.7
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 42
(身体 二极管)
Ã
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 55 ––– ns
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 140 ––– nC
t
向前 转变-在 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
V
GS
= 20v
V
GS
= -20v
最大值
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 120v, ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 120v
g
V
GS
= 10v
f
V
DD
= 100v
I
D
= 3.1a
R
G
= 6.5
T
J
= 25°c, i
S
= 3.1a, v
GS
= 0v
f
T
J
= 25°c, i
F
= 3.1a, v
DD
= 25v
di/dt = 100a/µs
f
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 3.1a
f
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 120v, v
GS
= 0v
V
DS
= 120v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
场效应晶体管 标识
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
情况
V
GS
= 10v
f
V
GS
= 0v
V
DS
= 25v
ƒ = 1.0mhz
370
3.1
典型值
–––
–––
情况
V
DS
= 50v, i
D
= 5.2a
I
D
= 3.1a
V
DS
= 75v
75V
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