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资料编号:994413
 
资料名称:IRF7494
 
文件大小: 567K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7494
www.irf.com 3
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
, 接合面 温度 (°c)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
N
o
r
m
一个
l
i
z
e
d
)
I
D
= 5.2a
V
GS
= 10v
4 5 6 7
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
Α
)
T
J
= 25°c
T
J
= 175°c
V
DS
= 50v
20µs 脉冲波 宽度
0.1 1 10 100 1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.01
0.1
1
10
100
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
4.5v
20µs 脉冲波 宽度
tj = 25°c
VGS
15V
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
BOTTOM 4.5v
0.1 1 10 100 1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
4.5v
20µs 脉冲波 宽度
tj = 175°c
VGS
15V
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
BOTTOM 4.5v
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