IRGP20B120UD-E_集成电路资料查询网

irgp20b120ud-e
2 www.irf.com
电的 特性 @tj = 25°c (除非 otherwise 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况 图.
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
1200 V
V
GE
= 0v,i
c
=250 µa
∆
V
(br)ces
/
∆
Tj
温度 coeff. 的 损坏 电压
+1.2 v/°c
V
GE
= 0v, i
c
= 1 m一个 (25 -125
o
c )
3.05 3.45
I
C
= 20a, v
GE
= 15v
5, 6
集电级-至-发射级 饱和
3.37 3.80
I
C
= 25a, v
GE
= 15v
7, 9
V
ce(在)
电压
4.23 4.85 V
I
C
= 40a, v
GE
= 15v
10
3.89 4.50
I
C
= 20a, v
GE
= 15v, t
J
= 125°c
11
4.31 5.06
I
C
= 25a, v
GE
= 15v, t
J
= 125°c
V
ge(th)
门 门槛 电压
4.0 5.0 6.0 V
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250 µa
9,10,11,12
∆
V
ge(th)
/
∆
Tj
温度 coeff. 的 门槛 电压
- 1.2
mv/
o
C
V
CE
= v
GE
, i
C
= 1 m一个 (25 -125
o
c)
g
fe
向前 跨导
13.6 15.7 17.8 S
V
CE
= 50v, i
C
= 20a, pw=80µs
250
V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
420 750 µA
V
GE
=0V, v
CE
= 1200v, t
J
=125°C
1482 2200
V
GE
=0V, v
CE
= 1200v, t
J
=150°C
1.67 1.96
I
C
= 20a
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
1.76 2.06 V
I
C
= 25a
8
1.73 2.03
I
C
= 20a, t
J
= 125°c
1.87 2.18
I
C
= 25a, t
J
= 125°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
±100 nA
V
GE
= ±20v
Switching特性 @T
J
= 25°c (除非 otherwise 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况 图.
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
169 254
I
C
= 20a
23
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
24 36 nC
V
CC
= 600v
CT 1
Q
g c
门 - 集电级 承担 (转变-在)
82 126
V
GE
= 15v
E
在
转变-在 切换 丧失
850 1050
I
C
= 20a, v
CC
= 600v
CT 4
E
止
转变-止 切换 丧失
425 650 µJ
V
GE
=15V, r g=5
Ω,
L= 200µh
WF 1
E
tot
总的 切换 丧失
1275 1800
T
J
= 25
o
c, 活力 losses 包含 tail
和 二极管 反转 恢复
WF 2
E
在
转变-在 switch在g loss
1350 1550
ic =20一个, v
CC
= 600v
13, 15
E
止
转变-止 switching loss
610 875 µJ
V
GE
=15V, r g=5
Ω,
L= 200µh
CT 4
E
tot
总的 切换 丧失
1960 2425
T
J
= 125
o
c, 活力 losses 包含 tail
和 二极管 反转 恢复
WF 1 &放大; 2
td(在)
Turn- 在delay time
50 65
ic =20一个, v
CC
= 600v
14, 16
tr
上升 time
20 30 ns
V
GE
=15V, r g=5
Ω,
L= 200µh
CT 4
td(off)
Turn- 止 delay time
204 230
T
J
= 125
o
C
WF 1
tf
下降 时间
24 35
WF 2
C
ies
输入 电容
2200
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
210 pF
V
CC
= 30v
22
C
res
反转 转移 电容
85
f = 1.0 mhz
T
J
= 150
o
c, ic = 120a
4
RBSOA
反转 偏差 safe 运行 范围
全部 正方形的
V
CC
= 1000v, v
P
= 1200v
CT 2
rg = 5
Ω
, v
GE
= +15v 至 0v
T
J
= 150
o
C
CT 3
SCSOA
短的 电路 safe 运行 范围
10 ---- ---- µs
V
CC
= 900v, v
P
= 1200v
WF 4
rg = 5
Ω
, v
GE
= +15v 至 0v
E
rec
反转 恢复 活力 的 这  二极管
1600 2100 µJ
T
J
= 125
o
C
17,18,19
trr
二极管 反转 恢复 时间
300 ns
V
CC
= 600v, ic = 20a
20, 21
Irr
顶峰 反转 恢复 电流
32 36 一个
V
GE
=15V, r g=5
Ω,
L= 200µh
CT 4, wf3
Le
内部的 发射级 电感
13 nH
量过的 5 mm  从 这 包装.

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irgp20b120ud-e 2 www.irf.com 电的特性 @tj = 25°c (除非 otherwise 指定) 参数最小值典型值最大值单位情况图. V (br)ces 集电级-至-发射级损坏电压 1200 V V GE = 0v,i c =250 µa ∆ V (br)ces / ∆ Tj 温度 coeff. 的损坏电压 +1.2 v/°c V GE = 0v, i c = 1 m一个 (25 -125 o c ) 3.05 3.45 I C = 20a, v GE = 15v 5, 6 集电级-至-发射级饱和 3.37 3.80 I C = 25a, v GE = 15v 7, 9 V ce(在) 电压 4.23 4.85 V I C = 40a, v GE = 15v 10 3.89 4.50 I C = 20a, v GE = 15v, t J = 125°c 11 4.31 5.06 I C = 25a, v GE = 15v, t J = 125°c V ge(th) 门门槛电压 4.0 5.0 6.0 V V CE = v GE , i C = 250 µa 9,10,11,12 ∆ V ge(th) / ∆ Tj 温度 coeff. 的门槛电压 - 1.2 mv/ o C V CE = v GE , i C = 1 m一个 (25 -125 o c) g fe 向前跨导 13.6 15.7 17.8 S V CE = 50v, i C = 20a, pw=80µs 250 V GE = 0v, v CE = 1200v I CES 零门电压集电级电流 420 750 µA V GE =0V, v CE = 1200v, t J =125°C 1482 2200 V GE =0V, v CE = 1200v, t J =150°C 1.67 1.96 I C = 20a V FM 二极管向前电压漏出 1.76 2.06 V I C = 25a 8 1.73 2.03 I C = 20a, t J = 125°c 1.87 2.18 I C = 25a, t J = 125°c I GES 门-至-发射级泄漏电流 ±100 nA V GE = ±20v Switching特性 @T J = 25°c (除非 otherwise 指定) 参数最小值典型值最大值单位情况图. Q g 总的门承担 (转变-在) 169 254 I C = 20a 23 Q ge 门 - 发射级承担 (转变-在) 24 36 nC V CC = 600v CT 1 Q g c 门 - 集电级承担 (转变-在) 82 126 V GE = 15v E 在转变-在切换丧失 850 1050 I C = 20a, v CC = 600v CT 4 E 止转变-止切换丧失 425 650 µJ V GE =15V, r g=5 Ω, L= 200µh WF 1 E tot 总的切换丧失 1275 1800 T J = 25 o c, 活力 losses 包含 tail 和二极管反转恢复 WF 2 E 在转变-在 switch在g loss 1350 1550 ic =20一个, v CC = 600v 13, 15 E 止转变-止 switching loss 610 875 µJ V GE =15V, r g=5 Ω, L= 200µh CT 4 E tot 总的切换丧失 1960 2425 T J = 125 o c, 活力 losses 包含 tail 和二极管反转恢复 WF 1 &放大; 2 td(在) Turn- 在delay time 50 65 ic =20一个, v CC = 600v 14, 16 tr 上升 time 20 30 ns V GE =15V, r g=5 Ω, L= 200µh CT 4 td(off) Turn- 止 delay time 204 230 T J = 125 o C WF 1 tf 下降时间 24 35 WF 2 C ies 输入电容 2200 V GE = 0v C oes 输出电容 210 pF V CC = 30v 22 C res 反转转移电容 85 f = 1.0 mhz T J = 150 o c, ic = 120a 4 RBSOA 反转偏差 safe 运行范围全部正方形的 V CC = 1000v, v P = 1200v CT 2 rg = 5 Ω , v GE = +15v 至 0v T J = 150 o C CT 3 SCSOA 短的电路 safe 运行范围 10 ---- ---- µs V CC = 900v, v P = 1200v WF 4 rg = 5 Ω , v GE = +15v 至 0v E rec 反转恢复活力的这二极管 1600 2100 µJ T J = 125 o C 17,18,19 trr 二极管反转恢复时间 300 ns V CC = 600v, ic = 20a 20, 21 Irr 顶峰反转恢复电流 32 36 一个 V GE =15V, r g=5 Ω, L= 200µh CT 4, wf3 Le 内部的发射级电感 13 nH 量过的 5 mm 从这包装.

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