512 kbit / 1 mbit 3.0 volt-仅有的, 串行 flash 记忆
和 25 mhz spi 总线 接口
FEATURES
单独的 电源 供应 运作
- 低 电压 范围: 2.7 v - 3.6 v
• 记忆 organization
- pm25lv512: 64k x 8 (512 kbit)
- pm25lv010: 128k x 8 (1 mbit)
费用 有效的 sector/块 architecture
- uniform 4 kbyte sectors
- uniform 32 kbyte blocks (8 sectors 每 块)
- 二 blocks 和 32 kbytes 各自 (512 kbit)
四 blocks 和 32 kbytes 各自 (1 mbit)
- 128 页 每 块
串行 附带的 接口 (spi) 兼容
- 支持 spi 模式 0 (0,0) 和 3 (1,1)
高 效能 读
- 25 mhz 时钟 比率 (最大)
页 模式 为 程序 行动
- 256 字节 每 页
块 写 保护
-
这 块 保护 (bp1, bp0) 位 准许 部分 或者 全部
的 这 记忆 至 是 配置 作 读-仅有的.
硬件 数据 保护
- 写 保护 (wp#) 管脚 将 inhibit 写 行动
至 这 状态 寄存器
•
页 程序 (向上 至 256 字节)
- 典型 2 ms 每 页 程序 时间
•
sector, 块 和 碎片 擦掉
- 典型 40 ms sector/块/碎片 擦掉 时间
单独的 循环 reprogramming 为 状态 寄存器
-
build-在 擦掉 在之前 程序编制
高 产品 忍耐力
- 保证 100,000 程序/擦掉 循环 每 单独的
sector (初步的)
- 最小 20 年 数据 保持
工业的 标准 管脚-输出 和 包装
- 8-管脚 电子元件工业联合会 soic
- 8-联系 wson
- optional 含铅的-自由 (铅-自由) 包装
一般 描述
这 pm25lv512/010 是 512 kbit/1 mbits 3.0 volt-仅有的 串行 flash memories. 这些 设备 是 设计 至 使用
一个 单独的 低 电压, 范围 从 2.7 volt 至 3.6 volt, 电源 供应 至 执行 read, 擦掉 和 程序 operations.
这 设备 能 是 编写程序 在 标准 非易失存储器 programmers 作 好.
这 设备 是 优化 为 使用 在 许多 商业的 产品 在哪里 低-电源 和 低-电压 运作 是
essential. 这 pm25lv512/010 是 使能 通过 这 碎片 使能 管脚 (ce#) 和 accessed 通过 一个 3-线 接口
consisting 的 串行 数据 输入 (sl), 串行 数据 输出 (所以), 和 串行 时钟 (sck). 所有 写 循环 是 com-
pletely 自-安排时间.
块 写 保护 为 顶 1/4, 顶 1/2 或者 这 全部 记忆 排列 (1m) 或者 全部 记忆 排列 (512k) 是 使能
用 程序编制 这 状态 寄存器. 独立的 写 使能 和 写 使不能运转 说明 是 提供 为 额外的
数据 保护. 硬件 数据 保护 是 提供 通过 这 wp 管脚 至 保护 相反 inadvertent 写 attempts
至 这 状态 寄存器. 这 支撑 管脚 将 是 使用 至 suspend 任何 串行 交流 没有 resetting 这 串行
sequence.
1
pm25lv512 / pm25lv010
这 pm25lv512/010 是 制造的 在 pmc’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, p-flash™. 这 de-
vices 是 offered 在 8-管脚 电子元件工业联合会 soic 和 8-联系 wson 包装 和 运作 频率 向上 至 25 mhz.
www.datasheet4u.com
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