半导体 组件 industries, llc, 2004
九月, 2004 − rev. 4
1
发行 顺序 号码:
mbt3904dw1t1/d
mbt3904dw1t1,
MBT3904DW2T1
双 一般 目的
晶体管
这 mbt3904dw1t1 和 mbt3904dw2t1 设备 是 一个
spin−off 的 我们的 popular sot−23/sot−323 three−leaded 设备. 它 是
设计 为 一般 目的 放大器 产品 和 是 housed 在
这 sot−363 six−leaded 表面 挂载 包装. 用 putting 二
分离的 设备 在 一个 包装, 这个 设备 是 完美的 为 low−power
表面 挂载 产品 在哪里 板 空间 是 在 一个 premium.
特性
•
h
FE
, 100−300
•
低 v
ce(sat)
,
≤
0.4 v
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
有 在 8 mm, 7−inch/3,000 单位 录音带 和 卷轴
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级−发射级 电压 V
CEO
40 Vdc
集电级−根基 电压 V
CBO
60 Vdc
发射级−根基 电压 V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 − 持续的 I
C
200 mAdc
静电的 释放 静电释放 hbm>16000,
mm>2000
V
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
theraml 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 包装 消耗 (便条 1)
T
一个
= 25
°
C
P
D
150 mW
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
833
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
1. 设备挂载 在 fr4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小
推荐 footprint.
设备
包装
Shipping
†
订货 信息
MBT3904DW1T1
SOT−363
sot−363/sc−88/
SC70−6
情况 419b
3000 单位/卷轴
Q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5) (6)
Q
2
MBT3904DW1T1
样式 1
http://onsemi.com
1
6
XX
d
1
6
标记
图解
XX = 毫安 为 mbt3904dw1t1
mj 为 mbt3904dw2t1
d
= 日期 代号
Q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5)
Q
2
MBT3904DW2T1
样式 27
(6)
MBT3904DW2T1
SOT−363
3000 单位/卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
MBT3904DW1T1G
SOT−363
(pb−free)
3000 单位/卷轴
MBT3904DW2T1G
SOT−363
(pb−free)
3000 单位/卷轴
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