IS42S16100C1
ISSI
®
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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1
rev. 一个
07/20/04
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july 2004
特性
• 时钟 频率: 200, 166, 143 mhz
• 全部地 同步的; 所有 信号 关联 至 一个
积极的 时钟 边缘
• 二 banks 能 是 运作 同时发生地 和
independently
• 双 内部的 bank 控制 用 a11
(bank 选择)
• 单独的 3.3v 电源 供应
• 2.5v v
DD
选项 有
• lvttl 接口
• 可编程序的 burst 长度
– (1, 2, 4, 8, 全部 page)
• 可编程序的 burst sequence:
sequential/interleave
• 4096 refresh 循环 每 64 ms
• 随机的 column 地址 每 时钟 循环
• 可编程序的
CAS
latency (2, 3 clocks)
• burst 读/写 和 burst 读/单独的 写
行动 能力
• burst 末端 用 burst 停止 和
precharge command
• 字节 控制 用 ldqm 和 udqm
• 工业的 温度 向上 至 143 mhz
• 包装 400-mil 50-管脚 tsop ii
• 含铅的-自由 包装 选项
描述
ISSI
’s 16mb 同步的 dram is42s16100c1 是
有组织的 作 一个 524,288-文字 x 16-位 x 2-bank 为
改进 效能. 这 同步的 drams
达到 高-速 数据 转移 使用 pipeline
architecture. 所有 输入 和 输出 信号 谈及 至 这
rising 边缘 的 这 时钟 输入.
512k words x 16 位 x 2 banks (16-mbit)
同步的 动态 内存
管脚 配置
50-管脚 tsop (类型 ii)
管脚 描述
a0-a11 地址 输入
a0-a10 行 地址 输入
A11 bank 选择 地址
a0-a7 Column 地址 输入
dq0 至 dq15 数据 dq
CLK 系统 时钟 输入
CKE 时钟 使能
CS
碎片 选择
RAS
行 地址 strobe command
CAS
column 地址 strobe command
我们
写 使能
LDQM 更小的 bye, 输入/输出 掩饰
UDQM upper bye, 输入/输出 掩饰
VDD 电源
地 地面
VDDQ 电源 供应 为 dq 管脚
GNDQ 地面 为 dq 管脚
NC 非 连接
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VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
我们
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
地
DQ15
IDQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地
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