这 rf 场效应晶体管 线条
设计 为 wideband large–signal 放大器 和 振荡器 产品 向上 至
400 mhz 范围, 在 也 单独的 结束 或者 push–pull 配置.
•
有保证的 28 volt, 150 mhz 效能
输出 电源 = 30 watts
broadband 增益 = 14 db (典型值)
效率 = 54% (典型)
•
small–signal 和 large–signal
描绘
•
100% 测试 为 加载
mismatch 在 所有 阶段
angles 和 30:1 vswr
•
空间 节省 包装 为
push–pull 电路
产品
•
极好的 热的 稳固,
ideally suited 为 类 一个
运作
•
facilitates 手工的 增益
控制, alc 和
调制 技巧
最大 比率
比率 标识 Val e UnitRating 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
40 Vdc
流 电流 — 持续的 I
D
5.0 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
100
0.571
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.75
°
c/w
处理 和 包装
— mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
30 w, 至 400 mhz
N–CHANNEL
mos broadband
rf 电源 场效应晶体管
情况 319b–02, 样式 1
顺序 这个 文档
用 mrf
136y/d
半导体 technicaLD一个T一个
1
rev 0