TPC8206
2003-02-18
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 n 频道 mos 类型 (u-mos
II
)
TPC8206
lithium ion 电池 产品
notebook pc 产品
可携带的 设备 产品
小 footprint 预定的 至 小 和 薄的 包装
低 流-源 在 阻抗: r
ds (在)
= 40 m
Ω
(典型值.)
高 向前 转移 admittance: |y
fs
| = 7.0 s (典型值.)
低 泄漏 电流: i
DSS
=
1
0 µa (最大值) (v
DS
= 60 v)
增强-模式: v
th
=
1
.3 至 2.5 v (v
DS
=
1
0 v, i
D
=
1
毫安)
最大 比率
(ta
25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DSS
60 v
流-门 电压 (r
GS
20 k
) v
DGR
60 v
门-源 电压 V
GSS
20 v
直流 (便条 1) i
D
5
流 电流
脉冲波 (便条 1) i
DP
20
一个
单独的-设备
运作 (便条 3a)
P
d (1)
1.5流 电源
消耗
(t
10 s)
(便条 2a)
单独的-设备 值
在 双 运作
(便条 3b)
P
d (2)
1.0
W
单独的-设备
运作 (便条 3a)
P
d (1)
0.75流 电源
消耗
(t
10 s)
(便条 2b)
单独的-设备 值
在 双 运作
(便条 3b)
P
d (2)
0.45
W
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(便条 4)
E
作
92 mj
avalanche 电流 I
AR
5 一个
repetitive avalanche 活力
单独的-设备 值 在 双 运作
(便条 2a, 3b, 5)
E
AR
0.1 mj
频道 温度 T
ch
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
55 至 150 °C
便条: 为 (便条 1), (便条 2), (note 3), (note 4) 和 (note 5), 请 谈及 至 这 next page.
这个 晶体管 是 一个 静电的 敏感的 设备. 请 handle 和 提醒.
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-6j1e
重量: 0.080 g (典型值.)
电路 配置
8 7 6 5
1 2 3 4
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